Nº ref. fabric.

MOSFET onsemi 2N7000RLRAG, VDSS 60 V, ID 200 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 625-5054
Nº ref. fabric.:: 2N7000RLRAG
Fabricante:: ON Semiconductor

MOSFET onsemi 2N7000RLRAG, VDSS 60 V, ID 200 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple

No disponible

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Código RS:: 625-5054
Nº ref. fabric.:: 2N7000RLRAG
Fabricante:: ON Semiconductor

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	ON Semiconductor
	Tipo de Canal	N
	Corriente Máxima Continua de Drenaje	200 mA
	Tensión Máxima Drenador-Fuente	60 V
	Tipo de Encapsulado	TO-92
	Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
	Conteo de Pines	3
	Resistencia Máxima Drenador-Fuente	5 Ω
	Modo de Canal	Mejora
	Tensión de umbral de puerta máxima	3V
	Disipación de Potencia Máxima	350 mW
	Configuración de transistor	Simple
	Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
	Material del transistor	Si
	Número de Elementos por Chip	1
	Ancho	4.19mm
	Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
	Longitud	5.2mm
	Altura	5.33mm
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

	Seleccionar todo
	Marca ON Semiconductor
	Tipo de Canal N
	Corriente Máxima Continua de Drenaje 200 mA
	Tensión Máxima Drenador-Fuente 60 V
	Tipo de Encapsulado TO-92
	Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante
	Conteo de Pines 3
	Resistencia Máxima Drenador-Fuente 5 Ω
	Modo de Canal Mejora
	Tensión de umbral de puerta máxima 3V
	Disipación de Potencia Máxima 350 mW
	Configuración de transistor Simple
	Tensión Máxima Puerta-Fuente -20 V, +20 V
	Material del transistor Si
	Número de Elementos por Chip 1
	Ancho 4.19mm
	Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C
	Longitud 5.2mm
	Altura 5.33mm
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C

Datasheet

MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor

Transistores MOSFET, ON Semiconductor