JFET

"JFET
Un JFET es un dispositivo de cuatro terminales. Los terminales se denominan puerta, drenador, fuente y cuerpo. El terminal del cuerpo está siempre conectado a la fuente. Hay dos tipos de JFET: un canal N y un canal P.
¿Qué significa JFET?
JFET significa transistor de efecto de campo de unión
Construcción de JFET de canal N
El nombre Canal N significa que los electrones son la mayoría portadores de carga. Para formar el Canal N se utiliza un semiconductor de tipo N como base y se dopa con un semiconductor tipo P en ambos extremos. Estas dos regiones P están eléctricamente conectadas juntas con un contacto óhmico en la puerta. Se extraen dos terminales adicionales en los extremos opuestos para el drenador y la fuente.
Construcción de JFET de canal P
El nombre Canal P significa que los orificios son la mayoría portadores de carga. Para formar el Canal P se utiliza un semiconductor de tipo P como base y se dopa con un semiconductor tipo P en ambos extremos. Estas dos regiones N están eléctricamente conectadas juntas con un contacto óhmico en la puerta. Se extraen dos terminales adicionales en los extremos opuestos para el drenador y la fuente.
Características y ventajas
• Alta impedancia de entrada
• Dispositivo controlado por tensión
• Alto grado de aislamiento entre la entrada y la salida
• Menos ruido
¿Cómo se conocen también?
JUGFET
¿Para qué se utilizan los transistores JFET?
Los transistores JFET tienen muchas aplicaciones en electrónica y comunicación. Se pueden utilizar como un interruptor controlado electrónicamente para controlar la energía eléctrica para una carga y como amplificadores.
¿Cuál es la diferencia entre un JFET y BJT (transistor de unión bipolar)?
La diferencia principal entre un JFET y un BJT es que un transistor de efecto de campo de carga (JFET) ofrece solo flujos de portadores de carga mayoritarios, mientras que el transistor bipolar (BJT) ofrece flujos de portadores de carga mayoritarios y minoritarios.
¿Qué es el dopaje de semiconductores?
El dopaje es el proceso de incluir impurezas extrañas en semiconductores intrínsecos para cambiar sus propiedades eléctricas. Los átomos trivalentes empleados para dopar el silicio provocan que un semiconductor intrínseco se convierta en un semiconductor de tipo P. Los átomos pentavalentes empleados para dopar el silicio provocan que un semiconductor intrínseco se convierta en un semiconductor de tipo N."

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Descripción Precio Tipo de Canal Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss Tensión Máxima Drenador-Fuente Tensión Máxima Puerta-Fuente Tensión Máxima Puerta-Drenador Configuración Configuración de transistor Resistencia Máxima Drenador-Fuente Tipo de Montaje Tipo de Encapsulado Conteo de Pines Capacidad Drenador-Fuente Capacidad Fuente-Puerta Dimensiones
Código RS 806-1741
Nº ref. fabric.J107
FabricanteON Semiconductor
0,417 €
unitario (Suministrado en múltiplos de 20)
unidades
N 100mA - -25 V 25V Único Simple 8 Ω Montaje en orificio pasante TO-92 3 160pF 160pF 5.2 x 4.19 x 5.33mm
Código RS 166-2919
Nº ref. fabric.J107
FabricanteON Semiconductor
0,258 €
unitario (En una bolsa de 10000)
unidades
N 100mA - -25 V 25V Único Simple 8 Ω Montaje en orificio pasante TO-92 3 160pF 160pF 5.2 x 4.19 x 5.33mm
Código RS 806-1719
Nº ref. fabric.BF256B
FabricanteON Semiconductor
0,284 €
unitario (Suministrado en múltiplos de 50)
unidades
N 6 → 13mA - -30 V 30V Único Simple - Montaje en orificio pasante TO-92 3 - - 4.58 x 3.86 x 4.58mm
Código RS 124-1384
Nº ref. fabric.BF256B
FabricanteON Semiconductor
0,088 €
unitario (En una bolsa de 1000)
unidades
N 6 → 13mA - -30 V 30V Único Simple - Montaje en orificio pasante TO-92 3 - - 4.58 x 3.86 x 4.58mm
Código RS 806-1757
Nº ref. fabric.J112
FabricanteON Semiconductor
0,20 €
unitario (Suministrado en múltiplos de 50)
unidades
N Min. 5mA - -35 V 35V Único Simple 50 Ω Montaje en orificio pasante TO-92 3 28pF 28pF 5.2 x 4.19 x 5.33mm
Código RS 760-3123
Nº ref. fabric.2SK208-R(TE85L,F)
FabricanteToshiba
0,31 €
unitario (Suministrado en múltiplos de 10)
unidades
N 0.3 → 0.75mA 10 V -30 V -50V Único Simple - Montaje superficial SOT-346 (SC-59) 3 - - 2.9 x 1.5 x 1.1mm
Código RS 124-1385
Nº ref. fabric.J112
FabricanteON Semiconductor
0,083 €
unitario (En una bolsa de 1000)
unidades
N Min. 5mA - -35 V 35V Único Simple 50 Ω Montaje en orificio pasante TO-92 3 28pF 28pF 5.2 x 4.19 x 5.33mm
Código RS 145-5347
Nº ref. fabric.J113
FabricanteON Semiconductor
0,08 €
unitario (En una bolsa de 1000)
unidades
N Min. 2mA - -35 V 35V Único Simple 100 Ω Montaje en orificio pasante TO-92 3 28pF 28pF 5.2 x 4.19 x 5.33mm
Código RS 806-1766
Nº ref. fabric.J113
FabricanteON Semiconductor
0,253 €
unitario (Suministrado en múltiplos de 50)
unidades
N Min. 2mA - -35 V 35V Único Simple 100 Ω Montaje en orificio pasante TO-92 3 28pF 28pF 5.2 x 4.19 x 5.33mm
Código RS 166-1840
Nº ref. fabric.MMBFJ201
FabricanteON Semiconductor
0,09 €
unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
unidades
N 0.3 → 1.5mA - -40 V 40V Único Simple - Montaje superficial SOT-23 3 - - 2.92 x 1.3 x 0.93mm
Código RS 761-3688
Nº ref. fabric.MMBFJ201
FabricanteON Semiconductor
0,221 €
unitario (Suministrado en múltiplos de 25)
unidades
N 0.3 → 1.5mA - -40 V 40V Único Simple - Montaje superficial SOT-23 3 - - 2.92 x 1.3 x 0.93mm
Código RS 760-3126
Nº ref. fabric.2SK209-Y(TE85L,F)
FabricanteToshiba
0,33 €
unitario (Suministrado en múltiplos de 10)
unidades
N 1.2 → 3.0mA 10 V -30 V -50V Único Simple - Montaje superficial SOT-346 (SC-59) 3 - - 2.9 x 1.5 x 1.1mm
Código RS 773-7813
Nº ref. fabric.MMBFJ310LT3G
FabricanteON Semiconductor
0,213 €
unitario (Suministrado en múltiplos de 10)
unidades
N 24 → 60mA 25 V - - Único Simple - Montaje superficial SOT-23 3 - 5pF 3.04 x 1.4 x 1.01mm
Código RS 806-1753
Nº ref. fabric.J111
FabricanteON Semiconductor
0,152 €
unitario (Suministrado en múltiplos de 50)
unidades
N Min. 20mA - -35 V 35V Único Simple 30 Ω Montaje en orificio pasante TO-92 3 28pF 28pF 5.2 x 4.19 x 5.33mm
Código RS 166-2961
Nº ref. fabric.J105
FabricanteON Semiconductor
0,228 €
unitario (En una bolsa de 10000)
unidades
N 500mA - -25 V 25V Único Simple 3 Ω Montaje en orificio pasante TO-92 3 160pF 160pF 5.2 x 4.19 x 5.33mm
Código RS 122-0136
Nº ref. fabric.MMBFJ310LT3G
FabricanteON Semiconductor
0,086 €
unitario (Suministrado en Carretes de 10000)
unidades
N 24 → 60mA 25 V - - Único Simple - Montaje superficial SOT-23 3 - 5pF 3.04 x 1.4 x 1.01mm
Código RS 170-3357
Nº ref. fabric.MMBFJ310LT1G
FabricanteON Semiconductor
0,161 €
unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
unidades
N 24 → 60mA 25 V +25 V - Único Simple - Montaje superficial SOT-23 3 - - 2.9 x 1.3 x 0.94mm
Código RS 625-5745
Nº ref. fabric.MMBFJ310LT1G
FabricanteON Semiconductor
0,452 €
unitario (Suministrado en múltiplos de 5)
unidades
N 24 → 60mA 25 V +25 V - Único Simple - Montaje superficial SOT-23 3 - - 2.9 x 1.3 x 0.94mm
Código RS 162-9314
Nº ref. fabric.CPH6904-TL-E
FabricanteON Semiconductor
0,258 €
unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
unidades
N 20 → 40mA 25 V - -25V Doble Fuente común - Montaje superficial CPH 6 6pF 2.3pF 2.9 x 1.6 x 0.9mm
Código RS 166-2910
Nº ref. fabric.J111
FabricanteON Semiconductor
0,073 €
unitario (En una bolsa de 10000)
unidades
N Min. 20mA - -35 V 35V Único Simple 30 Ω Montaje en orificio pasante TO-92 3 28pF 28pF 5.2 x 4.19 x 5.33mm