Memoria FRAM Infineon FM24V02A-G, 8 pines, SOIC, Serie I2C, 256kbit, 32K x 8 bits, 450ns, 2 V a 3,6 V
- Código RS:
- 124-2983
- Nº ref. fabric.:
- FM24V02A-G
- Fabricante:
- Infineon
Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 06/08/2024, con entrega en 4 día(s) laborable(s).
Añadido
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 2)
6,69 €
(exc. IVA)
8,09 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Pack* |
2 - 8 | 6,69 € | 13,38 € |
10 - 18 | 5,315 € | 10,63 € |
20 - 98 | 5,18 € | 10,36 € |
100 - 498 | 5,045 € | 10,09 € |
500 + | 4,92 € | 9,84 € |
*precio indicativo |
- Código RS:
- 124-2983
- Nº ref. fabric.:
- FM24V02A-G
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
FRAM, Cypress Semiconductor
La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.
Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo
Memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica de 256 Kbit (F-RAM organizada lógicamente como 32K x 8
Lectura/escritura de 100 billones (1014) de alta resistencia
Retención de datos de 151 años (consulte la tabla de conservación de datos y resistencia)
NODELAY™ escribe
proceso ferroeléctrico advanced de alta fiabilidad
Interfaz serie rápida de dos cables (I2C)
Frecuencia de hasta 3,4 MHz[1]
Sustitución directa de hardware para la EEPROM serie
Admite tiempos heredados de 100 kHz y 400 kHz
ID de dispositivo
ID de fabricante e ID de producto
Bajo consumo
Corriente activa de 175 μA a 100 kHz
Corriente en espera de 150 μA
Corriente del modo de reposo de 8-μA
Funcionamiento de baja tensión: VDD = 2,0 V a 3,6 V.
Temperatura industrial: De –40 °C a +85 °C.
Paquete de circuito integrado (SOIC) de perfil pequeño de 8 pines
Lectura/escritura de 100 billones (1014) de alta resistencia
Retención de datos de 151 años (consulte la tabla de conservación de datos y resistencia)
NODELAY™ escribe
proceso ferroeléctrico advanced de alta fiabilidad
Interfaz serie rápida de dos cables (I2C)
Frecuencia de hasta 3,4 MHz[1]
Sustitución directa de hardware para la EEPROM serie
Admite tiempos heredados de 100 kHz y 400 kHz
ID de dispositivo
ID de fabricante e ID de producto
Bajo consumo
Corriente activa de 175 μA a 100 kHz
Corriente en espera de 150 μA
Corriente del modo de reposo de 8-μA
Funcionamiento de baja tensión: VDD = 2,0 V a 3,6 V.
Temperatura industrial: De –40 °C a +85 °C.
Paquete de circuito integrado (SOIC) de perfil pequeño de 8 pines
FRAM (RAM ferroeléctrica)
FRAM (memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica) es una memoria no volátil que utiliza película ferroeléctrica como condensador para almacenar los datos. F-RAM posee características tanto de dispositivos ROM como RAM y presenta acceso de alta velocidad, alta resistencia en modo de escritura, bajo consumo de potencia, no es volátil y es excelente en resistencia a manipulación. Es la memoria ideal para uso en tarjetas inteligentes que necesitan alta seguridad y bajo consumo de potencia, así como en teléfonos móviles y otros dispositivos.
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tamaño de la Memoria | 256kbit |
Organización | 32K x 8 bits |
Tipo de Interfaz | Serie I2C |
Ancho del Bus de Datos | 8bit |
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo | 450ns |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Tipo de Encapsulado | SOIC |
Conteo de Pines | 8 |
Dimensiones | 4.97 x 3.98 x 1.47mm |
Longitud | 4.97mm |
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento | 3,6 V |
Ancho | 3.98mm |
Altura | 1.47mm |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +85 °C |
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima | 2 V |
Número de Palabras | 32K |
Número de Bits de Palabra | 8bit |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C |
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