AEC-Q100 FRAM Infineon FM25V02A-DG, 8 pines, DFN, SPI, 256 kB, 32K x 8 Bit, 16 ns, 3.6 V, 2 V
- Código RS:
- 124-2986
- Nº ref. fabric.:
- FM25V02A-DG
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 2 unidades)*
14,42 €
(exc. IVA)
17,44 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 19 de agosto de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 7,21 € | 14,42 € |
| 10 - 18 | 5,555 € | 11,11 € |
| 20 - 98 | 5,41 € | 10,82 € |
| 100 - 498 | 5,27 € | 10,54 € |
| 500 + | 5,15 € | 10,30 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 124-2986
- Nº ref. fabric.:
- FM25V02A-DG
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | FRAM | |
| Tamaño de la memoria | 256kB | |
| Tipo de interfaz | SPI | |
| Ancho del bus de datos | 8bit | |
| Tiempo de acceso aleatorio máximo | 16ns | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Frecuencia del reloj máxima | 40MHZ | |
| Encapsulado | DFN | |
| Número de pines | 8 | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 4.5mm | |
| Altura | 0.75mm | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Tensión de alimentación máxima | 3.6V | |
| Tensión de alimentación mínima | 2V | |
| Número de bits por palabra | 8 | |
| Número de palabras | 32k | |
| Estándar de automoción | AEC-Q100 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto FRAM | ||
Tamaño de la memoria 256kB | ||
Tipo de interfaz SPI | ||
Ancho del bus de datos 8bit | ||
Tiempo de acceso aleatorio máximo 16ns | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Frecuencia del reloj máxima 40MHZ | ||
Encapsulado DFN | ||
Número de pines 8 | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 4.5mm | ||
Altura 0.75mm | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Tensión de alimentación máxima 3.6V | ||
Tensión de alimentación mínima 2V | ||
Número de bits por palabra 8 | ||
Número de palabras 32k | ||
Estándar de automoción AEC-Q100 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
FRAM, Cypress Semiconductor
La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.
Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo
FRAM (RAM ferroeléctrica)
FRAM (memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica) es una memoria no volátil que utiliza película ferroeléctrica como condensador para almacenar los datos. F-RAM posee características tanto de dispositivos ROM como RAM y presenta acceso de alta velocidad, alta resistencia en modo de escritura, bajo consumo de potencia, no es volátil y es excelente en resistencia a manipulación. Es la memoria ideal para uso en tarjetas inteligentes que necesitan alta seguridad y bajo consumo de potencia, así como en teléfonos móviles y otros dispositivos.
Enlaces relacionados
- AEC-Q100 FRAM Infineon DFN 256 kB 16 ns 2 V
- AEC-Q100 FRAM Infineon SOIC 256 kB 3.6 V, 3 V
- AEC-Q100 FRAM Infineon FM25V02A-GTR SOIC 256 kB 3.6 V, 3 V
- F-RAM serie (SPI) Infineon SOIC 256 kB 3.6 V, 2 V
- AEC-Q100 FRAM Infineon DFN 2 MB 16 ns 2 V
- F-RAM serie (SPI) Infineon FM25V02A-G SOIC 256 kB 3.6 V, 2 V
- AEC-Q100 FRAM Infineon FM25V20A-DG DFN 2 MB 16 ns 2 V
- FRAM Infineon FM25CL64B-DG DFN 64 kB 20 ns 2.7 V