F-RAM serie (SPI) Infineon, 8 pines, SOIC, Serie SPI, 256 kB, 32K x 8 bits, 3.6V, 2 V
- Código RS:
- 273-7389
- Nº ref. fabric.:
- FM25V02A-G
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 unidad)*
8,79 €
(exc. IVA)
10,64 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 734 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 8,79 € |
| 10 - 24 | 7,97 € |
| 25 + | 7,78 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 273-7389
- Nº ref. fabric.:
- FM25V02A-G
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tamaño de la memoria | 256kB | |
| Tipo de producto | F-RAM serie (SPI) | |
| Organización | 32K x 8 bits | |
| Tipo de interfaz | Serie SPI | |
| Ancho del bus de datos | 8bit | |
| Frecuencia del reloj máxima | 40MHZ | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Número de pines | 8 | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Número de bits por palabra | 8 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión de alimentación mínima | 2V | |
| Tensión de alimentación máxima | 3.6V | |
| Número de palabras | 32k | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tamaño de la memoria 256kB | ||
Tipo de producto F-RAM serie (SPI) | ||
Organización 32K x 8 bits | ||
Tipo de interfaz Serie SPI | ||
Ancho del bus de datos 8bit | ||
Frecuencia del reloj máxima 40MHZ | ||
Encapsulado SOIC | ||
Número de pines 8 | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Número de bits por palabra 8 | ||
Estándar de automoción No | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión de alimentación mínima 2V | ||
Tensión de alimentación máxima 3.6V | ||
Número de palabras 32k | ||
La FRAM de Infineon es una memoria no volátil de 256 Kbit que emplea un proceso ferroeléctrico avanzado. Una memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica o FRAM es no volátil y realiza lecturas y escrituras similares a una memoria RAM. Proporciona una retención de datos fiable durante 151 años, al tiempo que elimina las complejidades, la sobrecarga y los problemas de fiabilidad a nivel del sistema causados por el flash en serie, la EEPROM y otras memorias no volátiles. A diferencia del flash serie y la EEPROM, realiza operaciones de escritura a velocidad de bus. No se producen retrasos de escritura. Los datos se escriben en la matriz de memoria inmediatamente después de que cada byte se transfiera con éxito al dispositivo. El siguiente ciclo de autobuses puede comenzar sin la necesidad de encuestas de datos. Además, el producto ofrece una resistencia de escritura sustancial en comparación con otras memorias no volátiles.
Conforme a RoHS
Bajo consumo de energía
Interfaz periférica serie muy rápida
Esquema de protección de escritura sofisticado
Alta resistencia: 100 billones de lecturas y escrituras
Proceso ferroeléctrico avanzado de alta fiabilidad
Enlaces relacionados
- F-RAM serie (SPI) Infineon FM25V02A-G SOIC 256 kB 3.6V, 2 V
- AEC-Q100 FRAM Infineon DFN 256 kB 16 ns 2 V
- AEC-Q100 FRAM Infineon FM25V02A-DG DFN 256 kB 16 ns 2 V
- AEC-Q100 FRAM Infineon SOIC 256 kB 3 V
- AEC-Q100 FRAM Infineon FM25V02A-GTR SOIC 256 kB 3 V
- FRAM Infineon SOIC 256 kB 5.5V, 2.7 V
- AEC-Q100 FRAM Infineon SOIC 32K x 8 bits 3.6V, 2 V
- FRAM Infineon FM25W256-GTR SOIC 256 kB 5.5V, 2.7 V