F-RAM serie (SPI) Infineon FM25V02A-G, 8 pines, SOIC, Serie SPI, 256 kB, 32k x 8 bit, 3.6 V, 2 V

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Código RS:
273-7388
Nº ref. fabric.:
FM25V02A-G
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

F-RAM serie (SPI)

Tamaño de la memoria

256kB

Organización

32k x 8 bit

Tipo de interfaz

Serie SPI

Ancho del bus de datos

8bit

Frecuencia del reloj máxima

40MHz

Encapsulado

SOIC

Número de pines

8

Certificaciones y estándares

RoHS

Temperatura de funcionamiento máxima

85°C

Tensión de alimentación máxima

3.6V

Número de palabras

32k

Tensión de alimentación mínima

2V

Estándar de automoción

No

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Número de bits por palabra

8

La FRAM de Infineon es una memoria no volátil de 256 Kbit que emplea un proceso ferroeléctrico avanzado. Una memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica o FRAM es no volátil y realiza lecturas y escrituras similares a una memoria RAM. Proporciona una retención de datos fiable durante 151 años, al tiempo que elimina las complejidades, la sobrecarga y los problemas de fiabilidad a nivel del sistema causados por el flash en serie, la EEPROM y otras memorias no volátiles. A diferencia del flash serie y la EEPROM, realiza operaciones de escritura a velocidad de bus. No se producen retrasos de escritura. Los datos se escriben en la matriz de memoria inmediatamente después de que cada byte se transfiera con éxito al dispositivo. El siguiente ciclo de autobuses puede comenzar sin la necesidad de encuestas de datos. Además, el producto ofrece una resistencia de escritura sustancial en comparación con otras memorias no volátiles.

Conforme a RoHS

Bajo consumo de energía

Interfaz periférica serie muy rápida

Esquema de protección de escritura sofisticado

Alta resistencia: 100 billones de lecturas y escrituras

Proceso ferroeléctrico avanzado de alta fiabilidad

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