AEC-Q100 FRAM Infineon FM25V20A-DG, 8 pines, DFN, SPI, 2 MB, 256K x 8 bits, 16 ns, 3.6V, 2 V
- Código RS:
- 124-2989
- Nº ref. fabric.:
- FM25V20A-DG
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 124-2989
- Nº ref. fabric.:
- FM25V20A-DG
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | FRAM | |
| Tamaño de la memoria | 2MB | |
| Organización | 256K x 8 bits | |
| Tipo de interfaz | SPI | |
| Ancho del bus de datos | 8bit | |
| Tiempo de acceso aleatorio máximo | 16ns | |
| Frecuencia del reloj máxima | 40MHZ | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Encapsulado | DFN | |
| Número de pines | 8 | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 0.75mm | |
| Longitud | 4.5mm | |
| Anchura | 4mm | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Tensión de alimentación máxima | 3.6V | |
| Estándar de automoción | AEC-Q100 | |
| Tensión de alimentación mínima | 2V | |
| Número de bits por palabra | 8 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Número de palabras | 256K | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto FRAM | ||
Tamaño de la memoria 2MB | ||
Organización 256K x 8 bits | ||
Tipo de interfaz SPI | ||
Ancho del bus de datos 8bit | ||
Tiempo de acceso aleatorio máximo 16ns | ||
Frecuencia del reloj máxima 40MHZ | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Encapsulado DFN | ||
Número de pines 8 | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 0.75mm | ||
Longitud 4.5mm | ||
Anchura 4mm | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Tensión de alimentación máxima 3.6V | ||
Estándar de automoción AEC-Q100 | ||
Tensión de alimentación mínima 2V | ||
Número de bits por palabra 8 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Número de palabras 256K | ||
FRAM, Cypress Semiconductor
La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.
Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo
FRAM (RAM ferroeléctrica)
FRAM (memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica) es una memoria no volátil que utiliza película ferroeléctrica como condensador para almacenar los datos. F-RAM posee características tanto de dispositivos ROM como RAM y presenta acceso de alta velocidad, alta resistencia en modo de escritura, bajo consumo de potencia, no es volátil y es excelente en resistencia a manipulación. Es la memoria ideal para uso en tarjetas inteligentes que necesitan alta seguridad y bajo consumo de potencia, así como en teléfonos móviles y otros dispositivos.
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