FRAM Infineon, 8 pines, SOIC, Serie SPI, 2 MB, 256K x 8 bits, 3.6V, 3 V
- Código RS:
- 273-7319
- Nº ref. fabric.:
- CY15B102QN-50SXI
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 273-7319
- Nº ref. fabric.:
- CY15B102QN-50SXI
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tamaño de la memoria | 2MB | |
| Tipo de producto | FRAM | |
| Organización | 256K x 8 bits | |
| Tipo de interfaz | Serie SPI | |
| Ancho del bus de datos | 8bit | |
| Frecuencia del reloj máxima | 50MHZ | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Número de pines | 8 | |
| Certificaciones y estándares | Restriction of hazardous substances (RoHS) | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Estándar de automoción | No | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión de alimentación mínima | 3V | |
| Tensión de alimentación máxima | 3.6V | |
| Número de palabras | 256K | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tamaño de la memoria 2MB | ||
Tipo de producto FRAM | ||
Organización 256K x 8 bits | ||
Tipo de interfaz Serie SPI | ||
Ancho del bus de datos 8bit | ||
Frecuencia del reloj máxima 50MHZ | ||
Encapsulado SOIC | ||
Número de pines 8 | ||
Certificaciones y estándares Restriction of hazardous substances (RoHS) | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Estándar de automoción No | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión de alimentación mínima 3V | ||
Tensión de alimentación máxima 3.6V | ||
Número de palabras 256K | ||
La FRAM de Infineon es una memoria no volátil de 2 Mb de baja potencia que emplea un proceso ferroeléctrico avanzado. Una memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica o FRAM es no volátil y realiza lecturas y escrituras similares a una memoria RAM. Proporciona una retención de datos fiable durante 151 años, al tiempo que elimina las complejidades, los gastos generales y los problemas de fiabilidad a nivel del sistema causados por el flash en serie, la EEPROM y otras memorias no volátiles. Este FRAM tiene SPI rápido y es compatible con modo SPI 0 y modo 3.
Conforme a RoHS
Funcionamiento de baja tensión
Bajo consumo de energía
Esquema de protección de escritura sofisticado
FRAM de sector especial de 256 bytes dedicada
Protección de software mediante instrucciones de desactivación de escritura
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