AEC-Q100 FRAM Infineon FM25V20A-DGQ, 8 pines, DFN, SPI, 2 MB, 256kB x 8 Bit, 11 ns, 3.6 V, 2 V
- Código RS:
- 181-1599
- Nº ref. fabric.:
- FM25V20A-DGQ
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 4 | 16,01 € |
| 5 - 24 | 13,12 € |
| 25 - 49 | 12,78 € |
| 50 - 99 | 12,46 € |
| 100 + | 12,15 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 181-1599
- Nº ref. fabric.:
- FM25V20A-DGQ
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | FRAM | |
| Tamaño de la memoria | 2MB | |
| Tipo de interfaz | SPI | |
| Ancho del bus de datos | 8bit | |
| Tiempo de acceso aleatorio máximo | 11ns | |
| Frecuencia del reloj máxima | 40MHZ | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Encapsulado | DFN | |
| Número de pines | 8 | |
| Altura | 0.75mm | |
| Longitud | 4.5mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 105°C | |
| Estándar de automoción | AEC-Q100 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Número de bits por palabra | 8 | |
| Tensión de alimentación mínima | 2V | |
| Tensión de alimentación máxima | 3.6V | |
| Número de palabras | 256K | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto FRAM | ||
Tamaño de la memoria 2MB | ||
Tipo de interfaz SPI | ||
Ancho del bus de datos 8bit | ||
Tiempo de acceso aleatorio máximo 11ns | ||
Frecuencia del reloj máxima 40MHZ | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Encapsulado DFN | ||
Número de pines 8 | ||
Altura 0.75mm | ||
Longitud 4.5mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 105°C | ||
Estándar de automoción AEC-Q100 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Número de bits por palabra 8 | ||
Tensión de alimentación mínima 2V | ||
Tensión de alimentación máxima 3.6V | ||
Número de palabras 256K | ||
2-Mbit ferroelectric random access memory (F-RAM) logically
organized as 256 K x 8
High-endurance 10 trillion (1014) read/writes
121-year data retention
NoDelay™ writes
Advanced high-reliability ferroelectric process
Very fast serial peripheral interface (SPI)
Up to 33 MHz frequency
Direct hardware replacement for serial flash and EEPROM
Supports SPI mode 0 (0, 0) and mode 3 (1, 1)
Sophisticated write protection scheme
Hardware protection using the Write Protect (WP) pin
Software protection using Write Disable instruction
Software block protection for 1/4, 1/2, or entire array
Device ID
Manufacturer ID and Product ID
Low power consumption
3 mA active current at 33 MHz
400 A standby current
12 A sleep mode current
Low-voltage operation: VDD = 2.0 V to 3.6 V
Extended temperature: –40 °C to +105 °C
8-pin thin dual flat no leads (DFN) package
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