FRAM Infineon, 8 pines, DFN, SPI, 4 MB, 512 KB x 8 bits, 16 ns, 3.6V, 2 V
- Código RS:
- 181-1548
- Nº ref. fabric.:
- CY15B104Q-LHXI
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 74 - 74 | 21,549 € | 1.594,63 € |
| 148 - 296 | 21,118 € | 1.562,73 € |
| 370 + | 20,687 € | 1.530,84 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 181-1548
- Nº ref. fabric.:
- CY15B104Q-LHXI
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tamaño de la memoria | 4MB | |
| Tipo de producto | FRAM | |
| Organización | 512 KB x 8 bits | |
| Tipo de interfaz | SPI | |
| Ancho del bus de datos | 8bit | |
| Tiempo de acceso aleatorio máximo | 16ns | |
| Frecuencia del reloj máxima | 40MHZ | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Encapsulado | DFN | |
| Número de pines | 8 | |
| Altura | 0.75mm | |
| Longitud | 5mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 6mm | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Tensión de alimentación mínima | 2V | |
| Número de palabras | 512K | |
| Estándar de automoción | No | |
| Tensión de alimentación máxima | 3.6V | |
| Número de bits por palabra | 8 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tamaño de la memoria 4MB | ||
Tipo de producto FRAM | ||
Organización 512 KB x 8 bits | ||
Tipo de interfaz SPI | ||
Ancho del bus de datos 8bit | ||
Tiempo de acceso aleatorio máximo 16ns | ||
Frecuencia del reloj máxima 40MHZ | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Encapsulado DFN | ||
Número de pines 8 | ||
Altura 0.75mm | ||
Longitud 5mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 6mm | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Tensión de alimentación mínima 2V | ||
Número de palabras 512K | ||
Estándar de automoción No | ||
Tensión de alimentación máxima 3.6V | ||
Número de bits por palabra 8 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
4-Mbit ferroelectric random access memory (F-RAM) logically
organized as 512 K x 8
High-endurance 100 trillion (1014) read/writes
151-year data retention
NoDelay™ writes
Advanced high-reliability ferroelectric process
Very fast serial peripheral interface (SPI)
Up to 40-MHz frequency
Direct hardware replacement for serial flash and EEPROM
Supports SPI mode 0 (0, 0) and mode 3 (1, 1)
Sophisticated write protection scheme
Hardware protection using the Write Protect (WP) pin
Software protection using Write Disable instruction
Software block protection for 1/4, 1/2, or entire array
Device ID
Manufacturer ID and Product ID
Low power consumption
300 A active current at 1 MHz
100 A (typ) standby current
3 A (typ) sleep mode current
Low-voltage operation: VDD = 2.0 V to 3.6 V
Industrial temperature: –40 °C to +85 °C
Packages
8-pin small outline integrated circuit (SOIC) package
8-pin thin dual flat no leads (TDFN) package
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