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    Memoria FRAM Infineon CY15B104Q-SXI, 8 pines, SOIC, SPI, 4Mbit, 512k x 8 bits, 16ns, 2 V a 3,6 V

    Código RS:
    188-5304
    Nº ref. fabric.:
    CY15B104Q-SXI
    Fabricante:
    Infineon
    Infineon
    Ver todo Memoria FRAM
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    unidadesPor unidadPor Tubo*
    94 - 9429,094 €2.734,836 €
    188 +27,842 €2.617,148 €
    *precio indicativo
    Código RS:
    188-5304
    Nº ref. fabric.:
    CY15B104Q-SXI
    Fabricante:
    Infineon
    COO (País de Origen):
    US

    Legislación y Conformidad

    COO (País de Origen):
    US

    Datos del Producto

    F-RAM de Cypress Semiconductor


    La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.

    Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
    Rápida velocidad de escritura
    Alta resistencia
    Bajo consumo


    FRAM (RAM ferroeléctrica)


    FRAM (memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica) es una memoria no volátil que utiliza película ferroeléctrica como condensador para almacenar los datos. F-RAM posee características tanto de dispositivos ROM como RAM y presenta acceso de alta velocidad, alta resistencia en modo de escritura, bajo consumo de potencia, no es volátil y es excelente en resistencia a manipulación. Es la memoria ideal para uso en tarjetas inteligentes que necesitan alta seguridad y bajo consumo de potencia, así como en teléfonos móviles y otros dispositivos.

    Especificaciones

    AtributoValor
    Tamaño de la Memoria4Mbit
    Organización512k x 8 bits
    Tipo de InterfazSPI
    Ancho del Bus de Datos8bit
    Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo16ns
    Tipo de MontajeMontaje superficial
    Tipo de EncapsuladoSOIC
    Conteo de Pines8
    Dimensiones5.33 x 5.33 x 1.78mm
    Longitud5.33mm
    Ancho5.33mm
    Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento3,6 V
    Altura1.78mm
    Temperatura Máxima de Funcionamiento+85 °C
    Número de Palabras512k
    Temperatura de Funcionamiento Mínima-40 °C
    Número de Bits de Palabra8bit
    Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima2 V
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