Dispositivo lógico de programación compleja CPLD ATF16V8B-10JU, ATF16V8B 8 celdas, 18 I/O, Flash 8 bloques, En el

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Código RS:
177-1687
Nº ref. fabric.:
ATF16V8B-10JU
Fabricante:
Microchip
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Marca

Microchip

Nombre de la Familia

ATF16V8B

Número de Macrocélulas

8

Número de E/Ss del Usuario

18

Tipo de Memoria

Flash

Número de Bloques/Elementos Lógicos

8

Programabilidad en Sistema

En el sistema

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Tipo de Encapsulado

PLCC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 °C

Conteo de Pines

20

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+85 °C

Retardo de Propagación

10ns

Control de Habilitación de Salida Individual

Sí

Dimensiones

9.04 x 9.04 x 4.06mm

Altura

4.06mm

Longitud

9.04mm

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

5,5 V

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

4,5 V

Condición de Prueba de Retardo de Propagación

50pF

Ancho

9.04mm

Soporte de Reprogramabilidad

Sí

El Atmel ATF16V8B(QL) es un dispositivo lógico programable eléctricamente borrable (EE PLD) CMOS de alto rendimiento que utiliza la tecnología de memoria flash eléctricamente borrable de Atmel. Todos los rangos de velocidad están especificados en el rango completo de 5,0 V 10 % para el rango de temperatura industrial. El dispositivo ATF16V8BQL proporciona una solución PLD de baja potencia con una detección óptima y con un consumo de energía en espera bajo (5 mA típ.). El ATF16V8BQL pasa a funcionar automáticamente en el modo de baja potencia gracias al circuito de detección de transición de entrada (ITD) cuando el dispositivo está inactivo.

Características:
Arquitectura estándar de la industria
Emula diversas PAL® de 20 contactos
Herramientas de software de bajo coste y fáciles de utilizar
Dispositivos lógicos programables eléctricamente borrables de alta velocidad
Retardo máximo contacto a contacto de 10 ns
Corriente en espera automática de 5 mA para ATF16V8BQL
Entradas y salidas compatibles con TTL y CMOS
Entrada y resistencias pull-up de E/S
Tecnología flash avanzada
Reprogramable
100 % probado
Proceso CMOS de alta fiabilidad
Retención de datos de 20 años
100 de ciclos de borrado/escritura
Protección ESD de 2.000 V

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