STMicroelectronics AEC-Q101 Diodo Schottky Simple, STPSC30G065G2Y, 30 A, H2PAK 650 V, 2 pines
- Código RS:
- 800-470
- Nº ref. fabric.:
- STPSC30G065G2Y
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Corriente directa máxima lf | 30A | |
| Tipo de producto | Diodo Schottky | |
| Configuración de diodo | Simple | |
| Tipo Sub | Diodos Schottky de carburo de silicio (SiC) | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Encapsulado | H2PAK | |
| Número de pines | 2 | |
| Pico de corriente directa no repetitiva lfsm | 200A | |
| Tensión repetitiva inversa de pico máxima Vrrm | 650V | |
| Tensión directa máxima Vf | 1.3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 4.7mm | |
| Certificaciones y estándares | ECOPACK2 | |
| Altura | 15.8mm | |
| Diámetro | 3.85mm | |
| Serie | STPSC30G065G2Y | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Corriente directa máxima lf 30A | ||
Tipo de producto Diodo Schottky | ||
Configuración de diodo Simple | ||
Tipo Sub Diodos Schottky de carburo de silicio (SiC) | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Encapsulado H2PAK | ||
Número de pines 2 | ||
Pico de corriente directa no repetitiva lfsm 200A | ||
Tensión repetitiva inversa de pico máxima Vrrm 650V | ||
Tensión directa máxima Vf 1.3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 4.7mm | ||
Certificaciones y estándares ECOPACK2 | ||
Altura 15.8mm | ||
Diámetro 3.85mm | ||
Serie STPSC30G065G2Y | ||
Longitud 10.4mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Rectificador Schottky de potencia de alto rendimiento de STMicroelectronics. Se fabrica utilizando un sustrato de carburo de silicio. El material de separación de banda ancha permite el diseño de una estructura de diodo Schottky de VF baja con un valor nominal de 650 V.
Cualificado AEC-Q101 y apto para PPAP
Sin carga de recuperación inversa en el rango de corriente de la aplicación
Comportamiento de conmutación independiente de la temperatura
Alta capacidad de sobretensión hacia delante
Tj de funcionamiento de -55 °C a +175 °C
ECOPACK2: certificación de componente conforme a RoHS
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