onsemi AEC-Q100 MOSFET MOSFET NCV51752CDDR2G 9 A 1 SOIC-8 NB 8 pines 20V
- Código RS:
- 220-559
- Nº ref. fabric.:
- NCV51752CDDR2G
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 220-559
- Nº ref. fabric.:
- NCV51752CDDR2G
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente de Salida | 9A | |
| Número de pines | 8 | |
| Encapsulado | SOIC-8 NB | |
| Tiempo de caída | 8.3ns | |
| Tipo de unidad | MOSFET | |
| Tiempo de subida | 22ns | |
| Tensión de alimentación mínima | 3V | |
| Número de drivers | 1 | |
| Tensión de alimentación máxima | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Serie | NCV51752 | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q100, SGS FIMO IEC 62386-1 (Planned), UL1577 (Planned), CQC GB4943.1-2011 (Planned) | |
| Altura | 1.75mm | |
| Longitud | 5mm | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Estándar de automoción | AEC-Q100 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente de Salida 9A | ||
Número de pines 8 | ||
Encapsulado SOIC-8 NB | ||
Tiempo de caída 8.3ns | ||
Tipo de unidad MOSFET | ||
Tiempo de subida 22ns | ||
Tensión de alimentación mínima 3V | ||
Número de drivers 1 | ||
Tensión de alimentación máxima 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Serie NCV51752 | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q100, SGS FIMO IEC 62386-1 (Planned), UL1577 (Planned), CQC GB4943.1-2011 (Planned) | ||
Altura 1.75mm | ||
Longitud 5mm | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Estándar de automoción AEC-Q100 | ||
- COO (País de Origen):
- PH
El controlador de puerta monocanal aislado de ON Semiconductor con 4,5 A/9 A de corriente de pico de fuente y sumidero respectivamente. Están diseñados para conmutación rápida para accionar MOSFET de potencia e interruptores de potencia MOSFET de SiC.
CMTI mínimo de 200 V/ns dV/dt
Capacidad de manejo de 5 V negativos en los pines de entrada
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