ROHM FET de GaN 11 A 1 8 pines 650V

Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidad

Subtotal 20 unidades (suministrado en una tira continua)*

105,80 €

(exc. IVA)

128,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 80 unidad(es) más para enviar a partir del 14 de octubre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)
Por unidad
20 - 1985,29 €
200 +4,88 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
264-698P
Nº ref. fabric.:
GNP1150TCA-ZE2
Fabricante:
ROHM
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

ROHM

Tipo de producto

FET de GaN

Corriente de Salida

11A

Número de pines

8

Tiempo de caída

8.3ns

Número de Salidas

1

Tiempo de subida

5.3ns

Tensión de alimentación máxima

650V

Número de drivers

1

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Anchura

8mm

Serie

GNP1150TCA-Z NA

Longitud

8mm

Altura

900μm

Tipo de montaje

Superficie

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
TW
El FET de nitruro de galio (GaN) en modo E de ROHM es un HEMT de GaN de 650 V que ha alcanzado la clase FOM más alta del sector (Ron Ciss Ron Coss). Es un producto de la serie EcoGaN que contribuye a la eficiencia de la conversión de potencia y a la reducción del tamaño aprovechando al máximo la baja resistencia ON y la conmutación de alta velocidad. La función de protección ESD está integrada para un diseño de alta fiabilidad. Además, los paquetes de gran versatilidad proporcionan una excelente disipación del calor y facilitan el montaje.

fET de GaN en modo E de 650 V

70mΩ Resistencia

5,2nC Carga de puerta

Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.