onsemi AEC-Q100 Módulo controlador de puerta Driver de puerta aislada NCV51152CADR2G 9 A 1 SOIC-8 8 pines 20V
- Código RS:
- 277-028
- Nº ref. fabric.:
- NCV51152CADR2G
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 277-028
- Nº ref. fabric.:
- NCV51152CADR2G
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | Módulo controlador de puerta | |
| Corriente de Salida | 9A | |
| Número de pines | 8 | |
| Tiempo de caída | 8.3ns | |
| Encapsulado | SOIC-8 | |
| Tipo de unidad | Driver de puerta aislada | |
| Tiempo de subida | 22ns | |
| Tensión de alimentación mínima | 3V | |
| Número de drivers | 1 | |
| Tensión de alimentación máxima | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | CQC per GB4943.1-2011 (Planned), UL1577 (Planned), SGS FIMO per IEC 62386-1 (Planned), AEC-Q100-011 | |
| Serie | NCV51152 | |
| Altura | 1.75mm | |
| Longitud | 5mm | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Estándar de automoción | AEC-Q100 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto Módulo controlador de puerta | ||
Corriente de Salida 9A | ||
Número de pines 8 | ||
Tiempo de caída 8.3ns | ||
Encapsulado SOIC-8 | ||
Tipo de unidad Driver de puerta aislada | ||
Tiempo de subida 22ns | ||
Tensión de alimentación mínima 3V | ||
Número de drivers 1 | ||
Tensión de alimentación máxima 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares CQC per GB4943.1-2011 (Planned), UL1577 (Planned), SGS FIMO per IEC 62386-1 (Planned), AEC-Q100-011 | ||
Serie NCV51152 | ||
Altura 1.75mm | ||
Longitud 5mm | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Estándar de automoción AEC-Q100 | ||
- COO (País de Origen):
- PH
El controlador de puerta monocanal aislado de ON Semiconductor está diseñado para la conmutación rápida de MOSFET de potencia y conmutadores de potencia MOSFET de SiC. Presenta retardos de propagación cortos y ajustados, se presenta en un compacto encapsulado SOIC-8 de 4 mm y admite una tensión de aislamiento de hasta 3,75 kVRMS. Además, incluye funciones de protección esenciales, como el bloqueo independiente por subtensión para ambos lados del conductor.
Retardo de propagación típico 36 ns con 5 ns máx. de adaptación de retardo
Certificación AEC Q100 para aplicaciones de automoción
Capacidad de manejo de 5 V negativos en los pines de entrada
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