Nº ref. fabric.

onsemi AEC-Q100 MOSFET MOSFET NCV57000DWR2G 6 A 1 SOIC 16 pines 5V

Código RS:: 189-0482
Nº ref. fabric.:: NCV57000DWR2G
Fabricante:: onsemi

onsemi AEC-Q100 MOSFET MOSFET NCV57000DWR2G 6 A 1 SOIC 16 pines 5V

Subtotal (1 paquete de 2 unidades)*

4,46 €

(exc. IVA)

5,40 €

(inc.IVA)

Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €

Disponible

Disponible(s) 2036 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución

¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)	Por unidad	Por Paquete*
2 +	2,23 €	4,46 €

*precio indicativo

Código RS:: 189-0482
Nº ref. fabric.:: NCV57000DWR2G
Fabricante:: onsemi

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente de Salida	6A
	Número de pines	16
	Encapsulado	SOIC
	Tiempo de caída	15ns
	Tipo de unidad	MOSFET
	Tiempo de subida	10ns
	Tensión de alimentación mínima	5V
	Número de drivers	1
	Tensión de alimentación máxima	5V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	2.4mm
	Longitud	10.45mm
	Tipo de montaje	Superficie
	Estándar de automoción	AEC-Q100

	Seleccionar todo
	Marca onsemi
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente de Salida 6A
	Número de pines 16
	Encapsulado SOIC
	Tiempo de caída 15ns
	Tipo de unidad MOSFET
	Tiempo de subida 10ns
	Tensión de alimentación mínima 5V
	Número de drivers 1
	Tensión de alimentación máxima 5V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares No
	Altura 2.4mm
	Longitud 10.45mm
	Tipo de montaje Superficie
	Estándar de automoción AEC-Q100

Datasheet NCV57000DWR2G

Salida de alta corriente (+4/-6 A) en los voltajes de IGBT Miller Plateau

Demora de propagación corta con coincidencia precisa

Desat con apagado suave

Abrazadera Miller activa y tensión negativa de la compuerta

Alta inmunidad transitoria y electromagnética

Aislamiento galvánico de 5 kV

Mejora la integridad de la señal PWM

Protección contra sobrecarga y cortocircuitos

Evita el giro falso de la compuerta

Robustez en aplicaciones de conmutación de alta tensión y alta corriente de velocidad de inclinación rápida

Aislamiento galvánico para separar los lados de alta tensión y baja tensión para proporcionar seguridad y protección

Aplicaciones

Fuentes de alimentación automotrices

Inversores de tracción HEV/EV

OBC

Inversores BSG

Calentadores de PTC

Cargadores EV

Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.