STMicroelectronics Driver de conexiones de uso general MOSFET VNS1NV04PTR-E 1.7 A 1 SO-8 8 pines 55V
- Código RS:
- 190-6812
- Nº ref. fabric.:
- VNS1NV04PTR-E
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 190-6812
- Nº ref. fabric.:
- VNS1NV04PTR-E
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | Driver de conexiones de uso general | |
| Corriente de Salida | 1.7A | |
| Número de pines | 8 | |
| Tiempo de caída | 600ns | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Tipo de unidad | MOSFET | |
| Número de Salidas | 5 | |
| Tiempo de subida | 4μs | |
| Tensión de alimentación mínima | 40V | |
| Número de drivers | 1 | |
| Tensión de alimentación máxima | 55V | |
| Anchura | 4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 5mm | |
| Altura | 1.25mm | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto Driver de conexiones de uso general | ||
Corriente de Salida 1.7A | ||
Número de pines 8 | ||
Tiempo de caída 600ns | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Tipo de unidad MOSFET | ||
Número de Salidas 5 | ||
Tiempo de subida 4μs | ||
Tensión de alimentación mínima 40V | ||
Número de drivers 1 | ||
Tensión de alimentación máxima 55V | ||
Anchura 4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 5mm | ||
Altura 1.25mm | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Estándar de automoción No | ||
Los STMicroelectronics VNS1NV04P-E son dispositivos monolíticos diseñados en tecnología VI Power M0-3, diseñados para reemplazar MOSFET de potencia estándar de dc hasta 50 kHz. Dispone de desconexión térmica integrada, limitación de corriente lineal y abrazadera de sobretensión para proteger el chip en entornos hostiles. La retroalimentación de fallo se puede detectar mediante el control de la tensión en el contacto de entrada.
Protección contra ESD.
Realimentación de diagnóstico a través del contacto de entrada
Compatible con MOSFET de potencia estándar
Acceso directo a la puerta del MOSFET de potencia (accionamiento por analogía)
Abrazadera integrada
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