Renesas Electronics MOSFET MOSFET HIP2101IBZ 2 A 2 SOIC 8 pines 14V
- Código RS:
- 196-8875
- Nº ref. fabric.:
- HIP2101IBZ
- Fabricante:
- Renesas Electronics
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
- Código RS:
- 196-8875
- Nº ref. fabric.:
- HIP2101IBZ
- Fabricante:
- Renesas Electronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Renesas Electronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente de Salida | 2A | |
| Número de pines | 8 | |
| Tiempo de caída | 500ns | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Tipo de unidad | MOSFET | |
| Tiempo de subida | 500ns | |
| Tensión de alimentación mínima | 18V | |
| Tensión de alimentación máxima | 14V | |
| Número de drivers | 2 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.75mm | |
| Serie | HIP2101 | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 5mm | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Renesas Electronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente de Salida 2A | ||
Número de pines 8 | ||
Tiempo de caída 500ns | ||
Encapsulado SOIC | ||
Tipo de unidad MOSFET | ||
Tiempo de subida 500ns | ||
Tensión de alimentación mínima 18V | ||
Tensión de alimentación máxima 14V | ||
Número de drivers 2 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.75mm | ||
Serie HIP2101 | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 5mm | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Estándar de automoción No | ||
El dispositivo Renesas Electronics de la serie HIP2101 es un IC de controlador MOSFET de alimentación de canal N De Medio puente de 100V de alta frecuencia. Es equivalente a la
HIP2100 con la ventaja añadida de contactos de entrada lógica totalmente compatibles con TTL/CMOS. Protección contra subtensión en ambos
las fuentes de alimentación de lado alto y lado bajo fuerzan las salidas bajas. Un diodo en chip elimina el diodo discreto necesario con otros CI de controlador.
Acciona Medio puente MOSFET de canal N.
Opciones de encapsulado SOIC, EPSIC, QFN y DFN
Tensión máxima de alimentación de autocarga de 114VDC
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