Renesas Electronics MOSFET MOSFET ISL2111ABZ 4 A 2 SOIC 8 pines 14 V
- Código RS:
- 196-8893P
- Nº ref. fabric.:
- ISL2111ABZ
- Fabricante:
- Renesas Electronics
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Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 10 - 18 | 4,36 € |
| 20 - 48 | 4,28 € |
| 50 - 98 | 4,19 € |
| 100 + | 3,76 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 196-8893P
- Nº ref. fabric.:
- ISL2111ABZ
- Fabricante:
- Renesas Electronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Renesas Electronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente de Salida | 4A | |
| Número de pines | 8 | |
| Tiempo de caída | 190ns | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Número de Salidas | 2 | |
| Tipo de unidad | MOSFET | |
| Tiempo de subida | 300ns | |
| Tensión de alimentación mínima | 14V | |
| Número de drivers | 2 | |
| Tensión de alimentación máxima | 14V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.75mm | |
| Longitud | 5mm | |
| Anchura | 4 mm | |
| Serie | ISL2111 | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Renesas Electronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente de Salida 4A | ||
Número de pines 8 | ||
Tiempo de caída 190ns | ||
Encapsulado SOIC | ||
Número de Salidas 2 | ||
Tipo de unidad MOSFET | ||
Tiempo de subida 300ns | ||
Tensión de alimentación mínima 14V | ||
Número de drivers 2 | ||
Tensión de alimentación máxima 14V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.75mm | ||
Longitud 5mm | ||
Anchura 4 mm | ||
Serie ISL2111 | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie ISL2111 de Renesas Electronics son IC de controlador MOSFET de potencia de canal N de medio puente, alta frecuencia, 100V. Se basan en el
Los populares controladores de medio puente HIP2100 y HIP2101, pero ofrecen varias mejoras de rendimiento.
Acciona MOSFET de canal N de medio puente
Opciones de encapsulado SOIC, DFN y TDFN
Tensión máxima de alimentación de autocarga de 114VDC