IXYS MOSFET MOSFET 2 A 2 DFN 8 pines 35V
- Código RS:
- 213-1605
- Nº ref. fabric.:
- IXDI602D2TR
- Fabricante:
- IXYS
No disponible
RS ya no dispondrá de este producto.
- Código RS:
- 213-1605
- Nº ref. fabric.:
- IXDI602D2TR
- Fabricante:
- IXYS
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | IXYS | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente de Salida | 2A | |
| Número de pines | 8 | |
| Encapsulado | DFN | |
| Tiempo de caída | 6.5ns | |
| Tipo de unidad | MOSFET | |
| Número de Salidas | 2 | |
| Tiempo de subida | 7.5ns | |
| Tensión de alimentación mínima | 4.5V | |
| Número de drivers | 2 | |
| Tensión de alimentación máxima | 35V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 125°C | |
| Longitud | 5mm | |
| Altura | 1mm | |
| Anchura | 4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Serie | IXDI602 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca IXYS | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente de Salida 2A | ||
Número de pines 8 | ||
Encapsulado DFN | ||
Tiempo de caída 6.5ns | ||
Tipo de unidad MOSFET | ||
Número de Salidas 2 | ||
Tiempo de subida 7.5ns | ||
Tensión de alimentación mínima 4.5V | ||
Número de drivers 2 | ||
Tensión de alimentación máxima 35V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 125°C | ||
Longitud 5mm | ||
Altura 1mm | ||
Anchura 4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Serie IXDI602 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Estándar de automoción No | ||
El controlador de puerta de alta velocidad doble Ixys es especialmente adecuado para accionar los MOSFET e IGBT más recientes. La entrada del controlador es compatible con CMOS y es prácticamente inmune a bloqueo y este controlador está disponible en encapsulado DFN de 8 contactos.
Tiempos de ascenso y descenso equivalentes
Tiempo de retardo de propagación bajo
Impedancia de salida baja
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