IXYS MOSFET MOSFET IXDN602SITR 2 A 2 SOIC 8 pines 35V
- Código RS:
- 213-1626
- Número de artículo Distrelec:
- 304-39-469
- Nº ref. fabric.:
- IXDN602SITR
- Fabricante:
- IXYS
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- Código RS:
- 213-1626
- Número de artículo Distrelec:
- 304-39-469
- Nº ref. fabric.:
- IXDN602SITR
- Fabricante:
- IXYS
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | IXYS | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente de Salida | 2A | |
| Número de pines | 8 | |
| Tiempo de caída | 6.5ns | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Tipo de unidad | MOSFET | |
| Número de Salidas | 2 | |
| Tiempo de subida | 7.5ns | |
| Tensión de alimentación mínima | 4.5V | |
| Tensión de alimentación máxima | 35V | |
| Número de drivers | 2 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 125°C | |
| Serie | IXDN602 | |
| Anchura | 4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.7mm | |
| Longitud | 5mm | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca IXYS | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente de Salida 2A | ||
Número de pines 8 | ||
Tiempo de caída 6.5ns | ||
Encapsulado SOIC | ||
Tipo de unidad MOSFET | ||
Número de Salidas 2 | ||
Tiempo de subida 7.5ns | ||
Tensión de alimentación mínima 4.5V | ||
Tensión de alimentación máxima 35V | ||
Número de drivers 2 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 125°C | ||
Serie IXDN602 | ||
Anchura 4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.7mm | ||
Longitud 5mm | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Estándar de automoción No | ||
El controlador Ixys es un controlador de puerta de alta velocidad doble especialmente adecuado para accionar los MOSFET e IGBT más recientes. Cada una de las dos salidas puede obtener y recibir. El controlador está configurado como controlador sin inversión doble.
Tiempos de ascenso y descenso equivalentes
Tiempo de retardo de propagación bajo
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