Driver de puerta MOSFET IR35412MTRPBFAUMA1, 50 A PQFN

La etapa de potencia integrada Infineon combina la tecnología MOSFET de baja tensión Advanced más avanzada con el diseño de controlador más reciente. Esta integración de la tecnología de controlador, la tecnología FET y la tecnología de encapsulado también demuestra la potente combinación de las capacidades de Infineon y International Rectifier. El tiempo muerto de la corrección de bordes dobles permite una mejora significativa en la eficiencia de Peak. La detección de corriente RDS(ON) del MOSFET interno (a través de conexión Kelvin GND dedicada) con compensación de temperatura integrada logra una precisión de detección de corriente superior en comparación con los métodos de detección DCR del inductor.

Encapsulado PQFN sobremoldeado de 5 x 6 x 0,9 mm³ pequeño, 0,45 mm de paso
Informes de corriente muy precisos
OCSET de límite de corriente constante programable
Tecnología de conmutación rápida para mejorar el rendimiento a mayor frecuencia y mejorar la eficiencia Peak
Rango de tensión de entrada: 4,25 V a 16 V.
Rango de tensión de salida de 0,25 V a 5,5 V.
Capacidad de corriente de salida de 50A A.
Funcionamiento hasta 1,5 MHz
Optimizado para accionamiento de 5 V.