Infineon MOSFET MOSFET 1EDN7512GXTMA1 8 A 1 WSON 6 pines 20 V

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 15 unidades)*

6,255 €

(exc. IVA)

7,575 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 3675 unidad(es) más para enviar a partir del 27 de abril de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
15 - 600,417 €6,26 €
75 - 1350,397 €5,96 €
150 - 3600,38 €5,70 €
375 - 7350,363 €5,45 €
750 +0,337 €5,06 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
222-4765
Nº ref. fabric.:
1EDN7512GXTMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Corriente de Salida

8A

Número de pines

6

Encapsulado

WSON

Tiempo de caída

4.5ns

Tipo de unidad

MOSFET

Tiempo de subida

6.5ns

Tensión de alimentación mínima

4.2V

Tensión de alimentación máxima

20V

Número de drivers

1

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Serie

1EDN751x

Altura

1.45mm

Longitud

2.9mm

Tipo de montaje

Superficie

Estándar de automoción

No

Los CI Infineon de controlador de puerta MOSFET de 1 canal son el enlace crucial entre los CI de control y los potentes dispositivos de conmutación MOSFET y gan. Los CI de controlador de puerta permiten eficiencias de alto nivel de sistema, excelente densidad de potencia y solidez del sistema uniforme.

-10V robustez de las entradas de control y activación proporciona un margen de seguridad crucial al accionar transformadores de impulsos

La resistencia a la corriente de salida inversa 5A elimina la necesidad de diodos de conmutación Schottky al accionar MOSFET en encapsulados TO-220 y TO-247

CI de controlador de refrigeración gracias a las etapas de salida de baja impedancia de carril a carril real

Opciones UVLO (bloqueo por subtensión) 4V y 8V para protección instantánea contra MOSFET durante el arranque y en condiciones anormales

Enlaces relacionados