Infineon MOSFET MOSFET 1EDC60I12AHXUMA1 6 A 2 DSO 8 pines 17V

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
226-6018
Nº ref. fabric.:
1EDC60I12AHXUMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Corriente de Salida

6A

Número de pines

8

Encapsulado

DSO

Tiempo de caída

9ns

Tipo de unidad

MOSFET

Número de Salidas

2

Tiempo de subida

10ns

Tensión de alimentación mínima

15V

Tensión de alimentación máxima

17V

Número de drivers

2

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

125°C

Longitud

7.6mm

Serie

1EDC60I12AH

Anchura

6.4mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

2.65mm

Tipo de montaje

Superficie

Estándar de automoción

No

El Infineon 1EDCxxI12AH es un controlador IGBT de un canal con aislamiento galvánico en un encapsulado PG-DSO-8-59 que proporciona corriente de salida de hasta 10 A en contactos de salida separados. Los contactos de lógica de entrada funcionan en un amplio rango de tensión de entrada de 3 V a 15 V usando nivel de umbral CMOS escalado para admitir incluso microcontrolador de 3,3 V. La transferencia de datos a través de la barrera de aislamiento se realiza mediante la tecnología de transformador sin núcleo.

Controlador IGBT aislado de un canal

Para IGBT de 600 V/650 V/1200 V, MOSFET y MOSFET de SiC

Corriente de Peak típica de hasta 10 A en salidas carril a carril

Salida de disipador y fuente independientes

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