Infineon AEC-Q100 Driver de conexiones de uso general Uso General 20 A 1 DSO 20 pines 5.5V
- Código RS:
- 232-3032
- Nº ref. fabric.:
- 1EDI3030ASXUMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 232-3032
- Nº ref. fabric.:
- 1EDI3030ASXUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | Driver de conexiones de uso general | |
| Corriente de Salida | 20A | |
| Número de pines | 20 | |
| Tiempo de caída | 45ns | |
| Encapsulado | DSO | |
| Número de Salidas | 4 | |
| Tipo de unidad | Uso General | |
| Tiempo de subida | 55ns | |
| Tensión de alimentación mínima | 5.5V | |
| Tensión de alimentación máxima | 5.5V | |
| Número de drivers | 1 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Serie | 1EDI3030AS | |
| Altura | 2.65mm | |
| Anchura | 6.4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 7.5mm | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Estándar de automoción | AEC-Q100 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto Driver de conexiones de uso general | ||
Corriente de Salida 20A | ||
Número de pines 20 | ||
Tiempo de caída 45ns | ||
Encapsulado DSO | ||
Número de Salidas 4 | ||
Tipo de unidad Uso General | ||
Tiempo de subida 55ns | ||
Tensión de alimentación mínima 5.5V | ||
Tensión de alimentación máxima 5.5V | ||
Número de drivers 1 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Serie 1EDI3030AS | ||
Altura 2.65mm | ||
Anchura 6.4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 7.5mm | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Estándar de automoción AEC-Q100 | ||
El Infineon tiene un controlador de puerta de alta tensión de un canal apto para automoción optimizado para MOSFET de SiC. El modelo 1EDI3030AS utiliza una robusta tecnología de transformador sin núcleo Infineon para proporcionar transferencia de señal bidireccional a través de la barrera de aislamiento galvánico. El diseño de encapsulado compacto y el alto nivel de integración de características ahorran valioso espacio en PCB y costes del sistema, mientras que los ajustes preconfigurados reducen los esfuerzos de diseño.
Para SiC-MOSFET hasta 1200 V.
Retardo de propagación de 60 ns típico
Protección redundante DESAT y OCP
Control de fase de salida y puerta
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