Microchip MOSFET MOSFET TC4427ACOA713 1.5 A SOIC 8 pines 4.5 V
- Código RS:
- 238-0669
- Nº ref. fabric.:
- TC4427ACOA713
- Fabricante:
- Microchip
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- Código RS:
- 238-0669
- Nº ref. fabric.:
- TC4427ACOA713
- Fabricante:
- Microchip
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente de Salida | 1.5A | |
| Número de pines | 8 | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Tiempo de caída | 30ns | |
| Tipo de unidad | MOSFET | |
| Tensión de alimentación mínima | 4.5V | |
| Tensión de alimentación máxima | 4.5V | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente de Salida 1.5A | ||
Número de pines 8 | ||
Encapsulado SOIC | ||
Tiempo de caída 30ns | ||
Tipo de unidad MOSFET | ||
Tensión de alimentación mínima 4.5V | ||
Tensión de alimentación máxima 4.5V | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El controlador MOSFET de potencia de alta velocidad doble Microchip son versiones mejoradas de la familia TC4426/TC4427/TC4428 anterior de controladores MOSFET. Además de los tiempos de subida y bajada ajustados, los dispositivos TC4426A/TC4427A/TC4428A tienen tiempos de retardo de propagación de borde de entrada y bajada ajustados. Estos dispositivos son muy resistentes a bloqueos en cualquier condición dentro de sus valores nominales de potencia y tensión. No están sujetos a daños cuando se producen hasta 5V dB de pico de ruido en el contacto de tierra. Pueden aceptar, sin daños ni perturbación lógica, hasta 500 mA de corriente inversa que se fuerza de nuevo en sus salidas. Todos los terminales están completamente protegidos contra descargas electrostáticas (ESD) hasta 2 kV. Los controladores MOSFET TC4426A/TC4427A/TC4428A pueden cargar/descargar fácilmente capacitancias de puerta de 1000 pF en menos de 30 ns. Estos dispositivos proporcionan impedancias lo suficientemente bajas en los estados de encendido y apagado para garantizar que el estado previsto del MOSFET no se vea afectado, incluso por transitorios grandes.
Corriente de salida Peak alta de 1,5A A.
Rango de tensión de alimentación: 4,5V V a 18V V.
Alta capacidad de accionamiento de carga capacitiva de 1000 pF en 25ns
Tiempos de retardo cortos: 30 ns
Protegido con cierre
Puede resistir corriente inversa de 0,5A A.
La entrada resiste entradas negativas de hasta 5V V.
Protección contra descargas electrostáticas (ESD): 2 kV
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