Driver de puerta MOSFET 1ED3323MC12NXUMA1, CMOS 8,5 A PG-DSO-16 16 pines
- Código RS:
- 240-6372
- Nº ref. fabric.:
- 1ED3323MC12NXUMA1
- Fabricante:
- Infineon
799 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio unitario (Suministrado en Carretes de 1000)
1,96 €
(exc. IVA)
2,37 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Carrete* |
---|---|---|
1000 + | 1,96 € | 1.960,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 240-6372
- Nº ref. fabric.:
- 1ED3323MC12NXUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Controlador de puerta aislada de canal único Infineon de 8,5 A, 5,7 kV rms con protección contra cortocircuitos y abrazadera Miller activa, certificación UL 1577 y VDE 0884-11. Controlador de puerta aislada de canal único mejorado EiceDRIVERTM con corriente de salida de pico típica de fuente y disipación de +6 A a -8,5 A en un encapsulado de cuerpo ancho DSO-16 con separación de 8 mm para IGBT, MOSFET y MOSFET SiC. El 1ED3323MC12N pertenece a la familia EiceDRIVERTM Enhanced 1ED332x F3. El 1ED3323 ofrece protección contra cortocircuitos DESAT para IGBT y MOSFET SiC. El IC de controlador funciona en un amplio rango de tensión de alimentación, unipolar o bipolar, y tiene un ajuste estrecho de retardo de propagación pieza a pieza.
Transformador sin núcleo aislado galvánicamente de un canal. Características de protección
integradas, como protección contra cortocircuitos DESAT, suave, abrazadera Miller activa y desconexión activa.
Para usar con los MOSFET Si y SiC de 600 V, 650 V, 1.200 V, 1.700 V, 2.300 V IGBT,
Hasta +6 A a -85 A, corriente de salida máxima típica,
40 V tensión de alimentación de salida máxima absoluta VCC2.
La alta inmunidad a transitorios de modo común CMTI es superior a 300 kV/μs
85 ns, retardo de propagación corto
IC a IC ajustado a tensión de alimentación de entrada de 15 ns máx.
33 V y 5 V VCC1
integradas, como protección contra cortocircuitos DESAT, suave, abrazadera Miller activa y desconexión activa.
Para usar con los MOSFET Si y SiC de 600 V, 650 V, 1.200 V, 1.700 V, 2.300 V IGBT,
Hasta +6 A a -85 A, corriente de salida máxima típica,
40 V tensión de alimentación de salida máxima absoluta VCC2.
La alta inmunidad a transitorios de modo común CMTI es superior a 300 kV/μs
85 ns, retardo de propagación corto
IC a IC ajustado a tensión de alimentación de entrada de 15 ns máx.
33 V y 5 V VCC1
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Logic Type | CMOS |
Corriente de Salida | 8,5 A |
Tensión de Alimentación | 3.3 → 5V |
Conteo de Pines | 16 |
Tiempo de Bajada | 20ns |
Tipo de Encapsulado | PG-DSO-16 |
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