Infineon MOSFET MOSFET 1EDN7146GXTMA1 500 mA PG-VSON-10 11 pines 11V
- Código RS:
- 240-8524
- Nº ref. fabric.:
- 1EDN7146GXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 0,38 € | 1,90 € |
| 50 - 120 | 0,322 € | 1,61 € |
| 125 - 245 | 0,304 € | 1,52 € |
| 250 - 495 | 0,30 € | 1,50 € |
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- Código RS:
- 240-8524
- Nº ref. fabric.:
- 1EDN7146GXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente de Salida | 500mA | |
| Número de pines | 11 | |
| Encapsulado | PG-VSON-10 | |
| Tiempo de caída | 11ns | |
| Tipo de unidad | MOSFET | |
| Tensión de alimentación mínima | 11V | |
| Tensión de alimentación máxima | 11V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 125°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente de Salida 500mA | ||
Número de pines 11 | ||
Encapsulado PG-VSON-10 | ||
Tiempo de caída 11ns | ||
Tipo de unidad MOSFET | ||
Tensión de alimentación mínima 11V | ||
Tensión de alimentación máxima 11V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 125°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El Infineon EiceDRIVER™ 1EDN7114G es un IC de controlador de puerta de un solo canal optimizado para su compatibilidad con HEMT CoolGaN™, y también es compatible con otros HEMT GaN de puerta Schottky (SG) y MOSFET de silicio. Gracias a la característica de entrada realmente diferencial (TDI), el estado de salida del controlador de puerta se controla exclusivamente por la diferencia de tensión entre las dos entradas, completamente independiente del potencial de referencia (tierra) del controlador, siempre que la tensión de modo común sea inferior a 150 V (estática) y 200 V (dinámica). Esto elimina el riesgo de falso disparo debido al rebote a tierra en aplicaciones de lado bajo, al tiempo que permite al 1EDN7114G abordar incluso aplicaciones de lado alto.
Evite un disparo falso durante el funcionamiento de lado bajo o lado alto
Alto rango de tensión de entrada de modo común para funcionamiento de lado alto
Funcionamiento robusto durante transitorios de conmutación rápida
Compatible con lógica de entrada de 3,3 V o 5 V
Abrazadera Miller activa con capacidad de disipación de 5 A para evitar la conexión inducida
Bomba de carga ajustable para tensión de alimentación de desconexión negativa
Adecuada para accionar HEMT GaN o MOSFET Si
Calificada según JEDEC para aplicaciones de destino
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