Driver de puerta MOSFET NCD57091BDWR2G, 6,5 A SOIC 8 pines

El controlador DE puerta ON Semiconductor son controladores de puerta de canal doble aislados con fuente de 4,5 A/9−A y corriente de Peak de disipador respectivamente. Están diseñados para conmutación rápida para accionar MOSFET de potencia e interruptores de alimentación MOSFET de SiC. El NCP51561 ofrece retardos de propagación cortos y ajustados. El aislamiento galvánico interno de dos entradas a cada salida y 5 kVrms independiente y el aislamiento funcional interno entre los dos controladores de salida permiten una tensión de trabajo de hasta 1500 V dc. Este controlador se puede utilizar en cualquier configuración posible de dos interruptores de lado bajo, dos de lado alto o un controlador de medio puente con tiempo muerto programable. Un contacto ENA/DIS apaga ambas salidas simultáneamente cuando se ajusta LOW o HIGH para el modo DE ACTIVACIÓN o DESACTIVACIÓN respectivamente. El NCP51561 ofrece otras funciones de protección importantes como el bloqueo por subtensión independiente para controladores de puerta y una función de ajuste de tiempo muerto.

Fuente Peak de 4,5 A, capacidad de corriente de salida de disipador Peak de 9 A.
Flexible: Controlador de puerta de medio puente o lado alto doble, lado bajo doble
Protecciones UVLO independientes para ambos controladores de salida
Tensión de alimentación de salida de 6,5 V a 30 V con 5−V y 8−V para MOSFET, UVLO de 13−V y 17−V para SiC, umbrales.
Inmunidad a transitorios de modo común CMTI > 200 V/ns
Retardo de propagación típico de 36 ns con ajuste de retardo máx. De 5 ns por canal y distorsión de ancho de impulso máx. De 5 ns
Lógica de entrada programable por el usuario Modos de entrada simple o doble a través de ANB y MODO DE ACTIVACIÓN o DESACTIVACIÓN
Tiempo muerto programable por el usuario