Driver de puerta MOSFET NCP51561BADWR2G, SOIC 16 pines

El controlador de puerta IGBT/MOSFET de alta corriente aislado ON Semiconductor es de un canal de alta corriente. Controladores de puerta IGBT/MOSFET con aislamiento galvánico interno de 5 kVrms, diseñados para alta eficiencia del sistema y fiabilidad en aplicaciones de alta potencia. Los dispositivos aceptan entradas complementarias y, en función de la configuración de contactos, ofrecen opciones como abrazadera Miller activa (versión A/D/F), fuente de alimentación negativa (versión B) y salidas de controlador alto y bajo (OUTL y OUTL) independientes (versión C/E) para mayor comodidad de diseño del sistema. El controlador admite una amplia gama de niveles de señal y tensión de polarización de entrada de 3,3V V a 20V V y están disponibles en encapsulado SOIC−8 de cuerpo amplio.

Corriente de salida Peak alta (+6,5 A/−6,5 A)
La caída de tensión de abrazadera baja elimina la necesidad de una fuente de alimentación negativa para evitar el encendido de puerta falso (versión A/D/F)
Retardos de propagación cortos con coincidencia precisa
Bloqueo de puerta IGBT/MOSFET durante cortocircuito
Puerta IGBT/MOSFET de bajada activa
Umbrales UVLO estrechos para flexibilidad de polarización
Amplio rango de tensión de polarización incluido negativo de VEE2 V (versión B)
Entrada lógica de 3,3 V, 5 V y 15 V.
Aislamiento galvánico de 5 kVrms
Alta inmunidad a transitorios
Alta inmunidad electromagnética