Driver de puerta MOSFET NCV57081BDR2G, SOIC 8 pines

Los controladores de puerta IGBT/MOSFET de canal único de alta corriente ON Semiconductor con aislamiento galvánico interno de 3,75 kVrms, diseñados para alta eficiencia del sistema y fiabilidad en aplicaciones de alta potencia. Los dispositivos aceptan entradas complementarias y, en función de la configuración de contactos, ofrecen opciones como abrazadera Miller activa (versión A), fuente de alimentación negativa (versión B) y salidas de controlador alto y bajo (OUTH y OUTL) independientes (versión C) para mayor comodidad de diseño del sistema. El controlador admite una amplia gama de niveles de señal y tensión de polarización de entrada de 3,3 V a 20 V y están disponibles en encapsulado SOIC−8 de cuerpo estrecho.

Corriente de salida Peak alta (+6,5 A/−6,5 A)
La caída de tensión de abrazadera baja elimina la necesidad de alimentación negativa
Alimentación para evitar el encendido de puerta falsa (versión A)
Retardos de propagación cortos con coincidencia precisa
Bloqueo de puerta IGBT/MOSFET durante cortocircuito
Puerta IGBT/MOSFET de bajada activa
Umbrales UVLO estrechos para flexibilidad de polarización
Amplio rango de tensión de polarización incluido negativo de VEE2 V (versión B)
Entrada lógica de 3,3 V, 5 V y 15 V.
3,75 kVrms Viso (E-S) (para cumplir los requisitos de UL1577)