onsemi MOSFET MOSFET SOIC 8 pines 22V
- Código RS:
- 244-9166
- Nº ref. fabric.:
- NCV57081CDR2G
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 244-9166
- Nº ref. fabric.:
- NCV57081CDR2G
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Número de pines | 8 | |
| Tiempo de caída | 13ns | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Tipo de unidad | MOSFET | |
| Tiempo de subida | 30ns | |
| Tensión de alimentación mínima | 22V | |
| Tensión de alimentación máxima | 22V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Serie | NCV57 | |
| Tipo de montaje | Montaje en PCB | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Número de pines 8 | ||
Tiempo de caída 13ns | ||
Encapsulado SOIC | ||
Tipo de unidad MOSFET | ||
Tiempo de subida 30ns | ||
Tensión de alimentación mínima 22V | ||
Tensión de alimentación máxima 22V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Serie NCV57 | ||
Tipo de montaje Montaje en PCB | ||
Estándar de automoción No | ||
Los controladores de puerta IGBT/MOSFET de canal único de alta corriente ON Semiconductor con aislamiento galvánico interno de 3,75 kVrms, diseñados para alta eficiencia del sistema y fiabilidad en aplicaciones de alta potencia. Los dispositivos aceptan entradas complementarias y, en función de la configuración de contactos, ofrecen opciones como abrazadera Miller activa (versión A), fuente de alimentación negativa (versión B) y salidas de controlador alto y bajo (OUTH y OUTL) independientes (versión C) para mayor comodidad de diseño del sistema. El controlador admite una amplia gama de niveles de señal y tensión de polarización de entrada de 3,3 V a 20 V y están disponibles en encapsulado SOIC−8 de cuerpo estrecho.
Corriente de salida Peak alta (+6,5 A/−6,5 A)
La caída de tensión de abrazadera baja elimina la necesidad de alimentación negativa
Alimentación para evitar el encendido de puerta falsa (versión A)
Retardos de propagación cortos con coincidencia precisa
Bloqueo de puerta IGBT/MOSFET durante cortocircuito
Puerta IGBT/MOSFET de bajada activa
Umbrales UVLO estrechos para flexibilidad de polarización
Amplio rango de tensión de polarización incluido negativo de VEE2 V (versión B)
Entrada lógica de 3,3 V, 5 V y 15 V.
3,75 kVrms Viso (E-S) (para cumplir los requisitos de UL1577)
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