onsemi MOSFET MOSFET NCV57091ADWR2G 6.5 A SOIC 22V

No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
Opciones de empaquetado:
Código RS:
244-9169
Nº ref. fabric.:
NCV57091ADWR2G
Fabricante:
onsemi
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Corriente de Salida

6.5A

Tiempo de caída

13ns

Encapsulado

SOIC

Tipo de unidad

MOSFET

Tiempo de subida

30ns

Tensión de alimentación mínima

22V

Tensión de alimentación máxima

22V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Serie

NCV57

Tipo de montaje

Montaje en PCB

Estándar de automoción

No

El controlador DE puerta ON Semiconductor son controladores de puerta de canal doble aislados con fuente de 4,5 A/9−A y corriente de Peak de disipador respectivamente. Están diseñados para conmutación rápida para accionar MOSFET de potencia e interruptores de alimentación MOSFET de SiC. El NCP51561 ofrece retardos de propagación cortos y ajustados. El aislamiento galvánico interno de dos entradas a cada salida y 5 kVrms independiente y el aislamiento funcional interno entre los dos controladores de salida permiten una tensión de trabajo de hasta 1500 V dc. Este controlador se puede utilizar en cualquier configuración posible de dos interruptores de lado bajo, dos de lado alto o un controlador de medio puente con tiempo muerto programable. Un contacto ENA/DIS apaga ambas salidas simultáneamente cuando se ajusta LOW o HIGH para el modo DE ACTIVACIÓN o DESACTIVACIÓN respectivamente. El NCP51561 ofrece otras funciones de protección importantes como el bloqueo por subtensión independiente para controladores de puerta y una función de ajuste de tiempo muerto.

Fuente Peak de 4,5 A, capacidad de corriente de salida de disipador Peak de 9 A.

Flexible: Controlador de puerta de medio puente o lado alto doble, lado bajo doble

Protecciones UVLO independientes para ambos controladores de salida

Tensión de alimentación de salida de 6,5 V a 30 V con 5−V y 8−V para MOSFET, UVLO de 13−V y 17−V para SiC, umbrales.

Inmunidad a transitorios de modo común CMTI > 200 V/ns

Retardo de propagación típico de 36 ns con ajuste de retardo máx. De 5 ns por canal y distorsión de ancho de impulso máx. De 5 ns

Lógica de entrada programable por el usuario Modos de entrada simple o doble a través de ANB y MODO DE ACTIVACIÓN o DESACTIVACIÓN

Tiempo muerto programable por el usuario

Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.