EEPROM AT21CS11-MSH10-T Microchip, 1 kB, 128 x, 8, Serie-1 cable, Serie-1 cable, 2 pines XSFN
- Código RS:
- 171-7740
- Nº ref. fabric.:
- AT21CS11-MSH10-T
- Fabricante:
- Microchip
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 171-7740
- Nº ref. fabric.:
- AT21CS11-MSH10-T
- Fabricante:
- Microchip
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Estándar de automoción | No | |
| Tipo de producto | EEPROM | |
| Tamaño de la memoria | 1 kB | |
| Número de palabras | 128 | |
| Número de bits por palabra | 8 | |
| Tipo de interfaz | Serie-1 cable, Serie-1 cable | |
| Número de pines | 2 | |
| Encapsulado | XSFN | |
| Almacenamiento de datos | 100 año | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85 °C | |
| Tensión de alimentación máxima | 4.5 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C | |
| Tensión de alimentación mínima | 2.7 V | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Organización | 1K x 8 bits | |
| Serie | AT21CS11 | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Corriente de suministro | 500 μA | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Estándar de automoción No | ||
Tipo de producto EEPROM | ||
Tamaño de la memoria 1 kB | ||
Número de palabras 128 | ||
Número de bits por palabra 8 | ||
Tipo de interfaz Serie-1 cable, Serie-1 cable | ||
Número de pines 2 | ||
Encapsulado XSFN | ||
Almacenamiento de datos 100 año | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85 °C | ||
Tensión de alimentación máxima 4.5 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40 °C | ||
Tensión de alimentación mínima 2.7 V | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Organización 1K x 8 bits | ||
Serie AT21CS11 | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Corriente de suministro 500 μA | ||
The Microchip AT21CS11 is a 1 Kb Serial EEPROM utilizing the Single-Wire bus. Only two pins are needed to access the device: SI/O and GND. The SI/O signal is a combination data and power line, providing power to the device with a parasitic power scheme. The device is organized as one Block of 128 x 8 and is optimized for use in consumer and industrial applications where reliable and dependable nonvolatile memory storage is essential.
128 x 8 (1 Kbit)
Single-Wire Compatible
I²C Protocol Structure
Communication through a single I/O pin
High Speed (125 kbps) Mode
Self-Timed Erase and Write Cycles (5 MS max.)
Low Power Consumption
Software Write Protection
Four independent 256-bit zones
More than 1 million erase/write cycles
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