EEPROM en serie AT21CS11-STU10-T Microchip, 1 kB, 128 x, 8, Serie-1 cable, I2C, 3 pines SOT-23-3

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 25 unidades)*

5,275 €

(exc. IVA)

6,375 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Los pedidos inferiores a 80,00 € (exc. IVA) tienen un coste de 7,00 €.
Disponible
  • Disponible(s) 4900 unidad(es) más para enviar a partir del 16 de febrero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
25 - 250,211 €5,28 €
50 - 4750,205 €5,13 €
500 - 9750,20 €5,00 €
1000 - 24750,194 €4,85 €
2500 +0,19 €4,75 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
239-5564
Nº ref. fabric.:
AT21CS11-STU10-T
Fabricante:
Microchip
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Microchip

Tamaño de la memoria

1kB

Tipo de producto

EEPROM en serie

Tipo de interfaz

Serie-1 cable, I2C

Encapsulado

SOT-23-3

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Organización

128 x 8 bit

Tensión de alimentación mínima

2.7V

Tensión de alimentación máxima

4.5V

Número de bits por palabra

8

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

85°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

2.9mm

Altura

1.3mm

Serie

AT21CS

Anchura

1.6 mm

Almacenamiento de datos

100year

Estándar de automoción

No

Número de palabras

128

La serie AT21CS11 de Microchip de memoria de 2 contactos (SI/O y tierra) recoge energía del contacto SI/O para alimentar el circuito integrado. Proporciona 1.024 bits de EEPROM serie organizados en 128 palabras de ocho bits cada uno. El dispositivo está optimizado para agregar información de configuración y uso en accesorios sin alimentación mediante una conexión mecánica de dos puntos que proporciona solo una señal (SI/O) y GND al accesorio sin alimentación. El dispositivo está disponible en opciones de encapsulado que ahorran espacio y funciona con una tensión de extracción externa de 2,7 V a 4,5 V en la línea SI/O.

Temperatura máxima con polarización: 55 °C a +125°C.

Temperatura de almacenamiento: 65 °C a +150°C.

Tensión en cualquier contacto con respecto a tierra de -0,6 V a VPUP +0,5 V.

Corriente de salida dc: 15,0 mA

Enlaces relacionados