EEPROM paralela Microchip, 64 kB, 8192 x, 8, Paralelo, 120 ns, 32 pines PLCC
- Código RS:
- 177-1464
- Nº ref. fabric.:
- AT28HC64BF-12JU
- Fabricante:
- Microchip
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
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*precio indicativo
- Código RS:
- 177-1464
- Nº ref. fabric.:
- AT28HC64BF-12JU
- Fabricante:
- Microchip
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tamaño de la memoria | 64kB | |
| Tipo de producto | EEPROM paralela | |
| Tipo de interfaz | Paralelo | |
| Encapsulado | PLCC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 32 | |
| Frecuencia del reloj máxima | 5MHZ | |
| Tensión de alimentación mínima | 4.5V | |
| Tensión de alimentación máxima | 5.5V | |
| Número de bits por palabra | 8 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 3.5mm | |
| Longitud | 12.5mm | |
| Serie | AT28HC64BF | |
| Almacenamiento de datos | 10año | |
| Número de palabras | 8192 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Tiempo de acceso aleatorio máximo | 120ns | |
| Corriente de suministro | 40mA | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tamaño de la memoria 64kB | ||
Tipo de producto EEPROM paralela | ||
Tipo de interfaz Paralelo | ||
Encapsulado PLCC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 32 | ||
Frecuencia del reloj máxima 5MHZ | ||
Tensión de alimentación mínima 4.5V | ||
Tensión de alimentación máxima 5.5V | ||
Número de bits por palabra 8 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 3.5mm | ||
Longitud 12.5mm | ||
Serie AT28HC64BF | ||
Almacenamiento de datos 10año | ||
Número de palabras 8192 | ||
Estándar de automoción No | ||
Tiempo de acceso aleatorio máximo 120ns | ||
Corriente de suministro 40mA | ||
- COO (País de Origen):
- TW
El dispositivo Microchip AT28HC64BF es una EEPROM en paralelo de 64 kb de alto rendimiento que ofrece tiempos de acceso de hasta 55 ns con una disipación de energía de 220 mW. Si no se selecciona, la corriente en espera CMOS es inferior a 100 μA. Se accede del mismo modo que a una RAM estática para los ciclos de lectura o escritura, sin componentes externos, e incluye un registro de páginas de 64 bytes para poder escribir un máximo de 64 bytes a la vez. El mecanismo de protección de datos con software opcional protege contra la escritura accidental y una EEPROM adicional de 64 bytes permite identificar o realizar un seguimiento del dispositivo.
Características adicionales:
8 kb x 8 (64 kb)
Alimentación de 5 V ±10 %
Interfaz paralela
Tiempo de acceso de 70 ns, ciclos de borrado y escritura con temporizador automático
Escritura de bytes y escritura de página
Análisis de datos para detectar el fin de escritura
Opción de 2 ms máximo
Bajo consumo de energía:
Corriente de lectura/escritura: 40 mA (máx.)
Corriente en espera: TTL de 2 mA (máx.), CMOS de 100 μA (máx.)
Protección contra escritura
Protección con hardware
Protección de datos con software
Más de 100.000 ciclos de borrado/escritura
Retención de datos > 10 años
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