EEPROM paralela Microchip, 64 kB, 8192 x, 8, Paralelo, 120 ns, 32 pines PLCC
- Código RS:
- 177-1461
- Nº ref. fabric.:
- AT28HC64B-12JU
- Fabricante:
- Microchip
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|---|---|---|
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*precio indicativo
- Código RS:
- 177-1461
- Nº ref. fabric.:
- AT28HC64B-12JU
- Fabricante:
- Microchip
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tamaño de la memoria | 64kB | |
| Tipo de producto | EEPROM paralela | |
| Tipo de interfaz | Paralelo | |
| Encapsulado | PLCC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 32 | |
| Frecuencia del reloj máxima | 5MHZ | |
| Organización | 8K x 8 bits | |
| Tensión de alimentación mínima | 4.5V | |
| Tensión de alimentación máxima | 5.5V | |
| Número de bits por palabra | 8 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Longitud | 12.5mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 15mm | |
| Serie | AT28HC64B | |
| Número de palabras | 8192 | |
| Almacenamiento de datos | 10año | |
| Corriente de suministro | 40mA | |
| Tiempo de acceso aleatorio máximo | 120ns | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tamaño de la memoria 64kB | ||
Tipo de producto EEPROM paralela | ||
Tipo de interfaz Paralelo | ||
Encapsulado PLCC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 32 | ||
Frecuencia del reloj máxima 5MHZ | ||
Organización 8K x 8 bits | ||
Tensión de alimentación mínima 4.5V | ||
Tensión de alimentación máxima 5.5V | ||
Número de bits por palabra 8 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Longitud 12.5mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 15mm | ||
Serie AT28HC64B | ||
Número de palabras 8192 | ||
Almacenamiento de datos 10año | ||
Corriente de suministro 40mA | ||
Tiempo de acceso aleatorio máximo 120ns | ||
Estándar de automoción No | ||
El dispositivo Microchip AT28HC64B es una EEPROM en paralelo de 64 kb de alto rendimiento que ofrece tiempos de acceso de hasta 55 ns con una disipación de energía de 220 mW. Si no se selecciona, la corriente en espera CMOS es inferior a 100 μA. Se accede del mismo modo que a una RAM estática para los ciclos de lectura o escritura, sin componentes externos, e incluye un registro de páginas de 64 bytes para poder escribir un máximo de 64 bytes a la vez. El mecanismo de protección de datos con software opcional protege contra la escritura accidental y una EEPROM adicional de 64 bytes permite identificar o realizar un seguimiento del dispositivo.
Características adicionales:
8 kb x 8 (64 kb)
Alimentación de 5 V ±10 %
Interfaz paralela
Tiempo de acceso de 70 ns
Ciclos de borrado y escritura con temporizador automático (10 ms máximo)
Escritura de bytes y escritura de página
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