EEPROM paralela AT28HC256-12JU Microchip, 256 kB, 32768 x, 8, Paralelo, 120 ns, 32 pines PLCC
- Código RS:
- 177-1707
- Nº ref. fabric.:
- AT28HC256-12JU
- Fabricante:
- Microchip
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- Código RS:
- 177-1707
- Nº ref. fabric.:
- AT28HC256-12JU
- Fabricante:
- Microchip
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tamaño de la memoria | 256kB | |
| Tipo de producto | EEPROM paralela | |
| Tipo de interfaz | Paralelo | |
| Encapsulado | PLCC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 32 | |
| Frecuencia del reloj máxima | 5MHZ | |
| Tensión de alimentación mínima | 4.5V | |
| Número de bits por palabra | 8 | |
| Tensión de alimentación máxima | 5.5V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Altura | 3.5mm | |
| Longitud | 12.5mm | |
| Serie | AT28HC256 | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Corriente de suministro | 80mA | |
| Estándar de automoción | No | |
| Almacenamiento de datos | 10año | |
| Número de palabras | 32768 | |
| Tiempo de acceso aleatorio máximo | 120ns | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tamaño de la memoria 256kB | ||
Tipo de producto EEPROM paralela | ||
Tipo de interfaz Paralelo | ||
Encapsulado PLCC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 32 | ||
Frecuencia del reloj máxima 5MHZ | ||
Tensión de alimentación mínima 4.5V | ||
Número de bits por palabra 8 | ||
Tensión de alimentación máxima 5.5V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Altura 3.5mm | ||
Longitud 12.5mm | ||
Serie AT28HC256 | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Corriente de suministro 80mA | ||
Estándar de automoción No | ||
Almacenamiento de datos 10año | ||
Número de palabras 32768 | ||
Tiempo de acceso aleatorio máximo 120ns | ||
- COO (País de Origen):
- TW
El dispositivo Microchip AT28HC256 es una EEPROM en paralelo de 256 kb de alto rendimiento con rangos de temperatura militares e industriales que ofrece tiempos de acceso de hasta 70 ns con una disipación de energía de 440 mW. Si no se selecciona, la corriente en espera CMOS es inferior a 5 mA. Se accede del mismo modo que a una RAM estática para los ciclos de lectura o escritura, sin componentes externos, e incluye un registro de páginas de 64 bytes para poder escribir un máximo de 64 bytes a la vez. Dispone de un circuito de corrección de errores internos para mejorar la resistencia y la retención de datos en la versión militar. El mecanismo de protección de datos con software opcional protege contra la escritura accidental y una EEPROM adicional de 64 bytes permite identificar o realizar un seguimiento del dispositivo.
Características adicionales:
32 kb x 8 (256 kb)
Alimentación de 5 V ±10 %
Interfaz paralela
Tiempo de acceso de 150 ns
Ciclos de borrado y escritura con temporizador automático (10 ms máximo)
Escritura de bytes y escritura de página
Análisis de datos para detectar el fin de escritura
Bajo consumo de energía:
Corriente de lectura/escritura: 40 mA (máx.)
Corriente en espera: TTL de 2 mA (máx.), CMOS de 200 μA (máx.)
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