EEPROM paralela Microchip, 256 kB, 32768 x, 8, Paralelo, 120 ns, 32 pines PLCC

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Código RS:
177-1458
Nº ref. fabric.:
AT28HC256-12JU
Fabricante:
Microchip
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Tipo de producto

EEPROM paralela

Tamaño de la memoria

256kB

Tipo de interfaz

Paralelo

Encapsulado

PLCC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

32

Organización

32K x 8 bits

Frecuencia del reloj máxima

5MHZ

Tensión de alimentación mínima

4.5V

Tensión de alimentación máxima

5.5V

Número de bits por palabra

8

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

85°C

Altura

3.5mm

Longitud

12.5mm

Serie

AT28HC256

Anchura

15mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Almacenamiento de datos

10año

Corriente de suministro

80mA

Tiempo de acceso aleatorio máximo

120ns

Número de palabras

32768

COO (País de Origen):
TW
El dispositivo Microchip AT28HC256 es una EEPROM en paralelo de 256 kb de alto rendimiento con rangos de temperatura militares e industriales que ofrece tiempos de acceso de hasta 70 ns con una disipación de energía de 440 mW. Si no se selecciona, la corriente en espera CMOS es inferior a 5 mA. Se accede del mismo modo que a una RAM estática para los ciclos de lectura o escritura, sin componentes externos, e incluye un registro de páginas de 64 bytes para poder escribir un máximo de 64 bytes a la vez. Dispone de un circuito de corrección de errores internos para mejorar la resistencia y la retención de datos en la versión militar. El mecanismo de protección de datos con software opcional protege contra la escritura accidental y una EEPROM adicional de 64 bytes permite identificar o realizar un seguimiento del dispositivo.

Características adicionales:

32 kb x 8 (256 kb)

Alimentación de 5 V ±10 %

Interfaz paralela

Tiempo de acceso de 150 ns

Ciclos de borrado y escritura con temporizador automático (10 ms máximo)

Escritura de bytes y escritura de página

Análisis de datos para detectar el fin de escritura

Bajo consumo de energía:

Corriente de lectura/escritura: 40 mA (máx.)

Corriente en espera: TTL de 2 mA (máx.), CMOS de 200 μA (máx.)

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