AEC-Q100 EEPROM M95M01-DFMN6TP STMicroelectronics, 1 MB, 128k x, 8, Serie I2C, 25 ns, 8 pines SOIC

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Código RS:
190-7642
Nº ref. fabric.:
M95M01-DFMN6TP
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tamaño de la memoria

1MB

Tipo de producto

EEPROM

Tipo de interfaz

Serie I2C

Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Frecuencia del reloj máxima

16MHz

Organización

128K x 8 bit

Tensión de alimentación mínima

1.7V

Número de bits por palabra

8

Tensión de alimentación máxima

5.5V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

85°C

Longitud

5mm

Serie

M95M01

Altura

1.75mm

Anchura

150 mm

Certificaciones y estándares

RoHS 2011/65/EU

Estándar de automoción

AEC-Q100

Almacenamiento de datos

200year

Número de palabras

128k

Corriente de suministro

5mA

Tiempo de acceso aleatorio máximo

25ns

Los dispositivos M95M01 son memorias programables Borrables Eléctricamente (EPROMs) organizadas en 131072 x 8 bits, a las que se accede a través del bus SPI. El M95M01-R puede funcionar con un rango de alimentación de 1,8 V a 5,5 V, el M95M01-DF puede funcionar con un rango de alimentación de 1,7 V a 5,5 V. Estos dispositivos están garantizados en el rango de temperaturas de 40 °C/+85 °C.

Compatible con el bus de interfaz periférica serie (SPI)

Matriz de memoria

1 Mbit (128 Kbytes) de la memoria EEPROM

Tamaño de página: 256 bytes

Escriba

Escritura de byte en 5 ms

Escritura de página en 5 ms

Página adicional con bloqueo de escritura (página de identificación)

Protección contra escritura: Matriz de memoria de un cuarto, medio o total

Reloj de alta velocidad: 16 MHz

Tensión de alimentación única:

1,8 V a 5,5 V para M95M01-R.

1,7 V a 5,5 V para M95M01-DF

Rango de temperatura de funcionamiento: De -40 °C a +85 °C.

Protección avanzada contra descargas electroestáticas

Más de 4 millones de ciclos de escritura

Más de 200 años de retención de datos

Encapsulados:

SO8

TSSOP8

WLCSP

Oblea Unsawn (cada dado se prueba)

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