AEC-Q100 EEPROM M95M01-DWMN3TP/K STMicroelectronics, 1 MB, 128 x, 8, Serie I2C, 25 ns, 8 pines SOIC

Ver todo EEPROM
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*

11,82 €

(exc. IVA)

14,30 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 23 de diciembre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
5 - 452,364 €11,82 €
50 - 952,078 €10,39 €
100 - 2451,86 €9,30 €
250 - 9951,798 €8,99 €
1000 +1,67 €8,35 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
190-7655
Nº ref. fabric.:
M95M01-DWMN3TP/K
Fabricante:
STMicroelectronics
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

STMicroelectronics

Tamaño de la memoria

1MB

Tipo de producto

EEPROM

Tipo de interfaz

Serie I2C

Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Organización

128 x 8 bit

Frecuencia del reloj máxima

16MHz

Tensión de alimentación mínima

2.5V

Número de bits por palabra

8

Tensión de alimentación máxima

5.5V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

125°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.75mm

Longitud

5mm

Anchura

169 mm

Serie

M95M01

Tiempo de acceso aleatorio máximo

25ns

Corriente de suministro

4mA

Almacenamiento de datos

100year

Número de palabras

128

Estándar de automoción

AEC-Q100

Compatible con el bus de interfaz periférica serie (SPI)

Matriz de memoria

1 Mbit (128 Kbytes) de la memoria EEPROM

Tamaño de página: 256 bytes

Protección contra escritura por bloque: 1/4, 1/2 o toda la memoria

Página adicional con bloqueo de escritura (página de identificación)

Rangos de temperatura y tensión ampliados

Hasta 125 °C (VCCde 2,5 V a 5,5 V)

Hasta 145 °C (VCCde 2,5 V a 5,5 V)

Frecuencia de reloj de alta velocidad

16 MHz para VCC ≥ 4,5 V.

10 MHz para VCC≥ 2,5 V.

Entradas de activación Schmitt para filtrado de ruido

Tiempo de ciclo de escritura corta

Byte escribir dentro de 4 ms

Escritura de página dentro de 4 ms

Escribir resistencia de ciclo

4 millones de ciclos de escritura a 25 °C.

1,2 millones ciclos de escritura a 85 °C.

600 k ciclos de escritura a 125 °C.

400 k ciclos de escritura a 145 °C.

Retención de datos

50 años a 125 °C.

100 años a 25 °C.

Protección contra ESD

4.000 V

Paquetes

Libre de halógenos

Enlaces relacionados