AEC-Q100 EEPROM STMicroelectronics, 1 MB, 128 x, 8, Serie I2C, 25 ns, 8 pines SOIC

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*

4.170,00 €

(exc. IVA)

5.045,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 01 de diciembre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
2500 - 25001,668 €4.170,00 €
5000 +1,485 €3.712,50 €

*precio indicativo

Código RS:
190-6774
Nº ref. fabric.:
M95M01-DWMN3TP/K
Fabricante:
STMicroelectronics
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

EEPROM

Tamaño de la memoria

1MB

Tipo de interfaz

Serie I2C

Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Organización

128 x 8 bit

Frecuencia del reloj máxima

16MHz

Tensión de alimentación mínima

2.5V

Tensión de alimentación máxima

5.5V

Número de bits por palabra

8

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

125°C

Anchura

169 mm

Serie

M95M01

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5mm

Altura

1.75mm

Corriente de suministro

4mA

Tiempo de acceso aleatorio máximo

25ns

Número de palabras

128

Estándar de automoción

AEC-Q100

Almacenamiento de datos

100year

Compatible con el bus de interfaz periférica serie (SPI)

Matriz de memoria

1 Mbit (128 Kbytes) de la memoria EEPROM

Tamaño de página: 256 bytes

Protección contra escritura por bloque: 1/4, 1/2 o toda la memoria

Página adicional con bloqueo de escritura (página de identificación)

Rangos de temperatura y tensión ampliados

Hasta 125 °C (VCCde 2,5 V a 5,5 V)

Hasta 145 °C (VCCde 2,5 V a 5,5 V)

Frecuencia de reloj de alta velocidad

16 MHz para VCC ≥ 4,5 V.

10 MHz para VCC≥ 2,5 V.

Entradas de activación Schmitt para filtrado de ruido

Tiempo de ciclo de escritura corta

Byte escribir dentro de 4 ms

Escritura de página dentro de 4 ms

Escribir resistencia de ciclo

4 millones de ciclos de escritura a 25 °C.

1,2 millones ciclos de escritura a 85 °C.

600 k ciclos de escritura a 125 °C.

400 k ciclos de escritura a 145 °C.

Retención de datos

50 años a 125 °C.

100 años a 25 °C.

Protección contra ESD

4.000 V

Paquetes

Libre de halógenos

Enlaces relacionados