AEC-Q100 Chip EEPROM M95512-WMN6TP STMicroelectronics, 512kbit, 65536 x, 8bit, Serie SPI, 40ns, 8 pines SO
- Código RS:
- 196-1991
- Nº ref. fabric.:
- M95512-WMN6TP
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 06/05/2025, con entrega en 4 día(s) laborable(s).
Añadido
Precio unitario (Suministrado en Carretes de 2500)
0,608 €
(exc. IVA)
0,736 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Carrete* |
2500 + | 0,608 € | 1.520,00 € |
*precio indicativo |
- Código RS:
- 196-1991
- Nº ref. fabric.:
- M95512-WMN6TP
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
- COO (País de Origen):
- CN
Datos del Producto
Los dispositivos M95512 son memorias programables borrables Eléctricamente (EEPROM) organizadas como 65536 x 8 bits, a las que se accede a través del bus SPI.
El M95512-W puede funcionar con una tensión de alimentación de 2,5 V a 5,5 V, el M95512-R puede funcionar con una tensión de alimentación de 1,8 V a 5,5 V y el M95512-DF puede funcionar con una tensión de alimentación de 1,7 V a 5,5 V, En un rango de temperatura ambiente de -40 °C / +85 °C.
El M95512-W puede funcionar con una tensión de alimentación de 2,5 V a 5,5 V, el M95512-R puede funcionar con una tensión de alimentación de 1,8 V a 5,5 V y el M95512-DF puede funcionar con una tensión de alimentación de 1,7 V a 5,5 V, En un rango de temperatura ambiente de -40 °C / +85 °C.
Compatible con el bus de interfaz periférica serie (SPI)
Matriz de memoria
512 KB (64 Kbytes) de EEPROM
Tamaño de página: 128 bytes
escritura.
Escritura de bytes en 5 ms
Escritura de página en 5 ms
Página adicional con bloqueo de escritura (página de identificación)
Protección contra escritura: Matriz de memoria de cuarto, mitad o completa
Reloj de alta velocidad: 16 MHz
Tensión de alimentación simple:
2,5 V a 5,5 V para M95512-W.
1,8 V a 5,5 V para M95512-R.
1,7 V a 5,5 V para M95512-DF
Rango de temperatura de funcionamiento de –40 °C a +85 °C
Protección avanzada contra descargas electroestáticas
Más de 4 millones de ciclos de escritura
Retención de datos superior a 20 años
Encapsulados:
SO8
TSSOP8
UFDFPN8
WLCSP
Matriz de memoria
512 KB (64 Kbytes) de EEPROM
Tamaño de página: 128 bytes
escritura.
Escritura de bytes en 5 ms
Escritura de página en 5 ms
Página adicional con bloqueo de escritura (página de identificación)
Protección contra escritura: Matriz de memoria de cuarto, mitad o completa
Reloj de alta velocidad: 16 MHz
Tensión de alimentación simple:
2,5 V a 5,5 V para M95512-W.
1,8 V a 5,5 V para M95512-R.
1,7 V a 5,5 V para M95512-DF
Rango de temperatura de funcionamiento de –40 °C a +85 °C
Protección avanzada contra descargas electroestáticas
Más de 4 millones de ciclos de escritura
Retención de datos superior a 20 años
Encapsulados:
SO8
TSSOP8
UFDFPN8
WLCSP
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tamaño de la Memoria | 512kbit |
Tipo de Interfaz | Serie SPI |
Tipo de Encapsulado | SO |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Conteo de Pines | 8 |
Organización | 65536 K x 8 bits |
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima | 2,5 V |
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento | 5,5 V |
Tensión de Programación | 2.5 → 5.5V |
Número de Bits de Palabra | 8bit |
Dimensiones | 5 x 4 x 1.5mm |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C |
Número de Palabras | 65536 |
Estándar de automoción | AEC-Q100 |
Data Retention | 200año |
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo | 40ns |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +85 °C |
Enlaces relacionados
- AEC-Q100 Memoria EEPROM serie M95320-WMN6TP STMicroelectronics 4k...
- AEC-Q100 Chip EEPROM M95512-RMN6P STMicroelectronics 65536 x Serie...
- AEC-Q100 Memoria EEPROM serie M95512-RDW6TP STMicroelectronics 64k...
- AEC-Q100 Memoria EEPROM serie M95512-WMN6P STMicroelectronics 64k...
- AEC-Q100 Memoria EEPROM serie M95640-WMN6TP STMicroelectronics 8k...
- AEC-Q100 Chip EEPROM M95512-RMN6P STMicroelectronics 65536 x SPI 8...
- AEC-Q100 Memoria EEPROM serie M95320-WMN6TP STMicroelectronics 4k...
- AEC-Q100 Memoria EEPROM serie M95640-WMN6TP STMicroelectronics 8k...