AEC-Q100 EEPROM M95512-WMN6TP STMicroelectronics, 512 kB, 65536 x, 8, Serie SPI, 40 ns, 8 pines SO-8

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
196-1992
Nº ref. fabric.:
M95512-WMN6TP
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

EEPROM

Tamaño de la memoria

512kB

Tipo de interfaz

Serie SPI

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Frecuencia del reloj máxima

16MHz

Organización

65536 x 8 bit

Tensión de alimentación mínima

2.5V

Tensión de alimentación máxima

5.5V

Número de bits por palabra

8

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

85°C

Certificaciones y estándares

RoHS 2011/65/EU

Longitud

5mm

Altura

1.75mm

Serie

M95512

Anchura

150 mm

Tiempo de acceso aleatorio máximo

40ns

Estándar de automoción

AEC-Q100

Almacenamiento de datos

200year

Corriente de suministro

5mA

Número de palabras

65536

COO (País de Origen):
CN
Los dispositivos M95512 son memorias programables borrables Eléctricamente (EEPROM) organizadas como 65536 x 8 bits, a las que se accede a través del bus SPI.

El M95512-W puede funcionar con una tensión de alimentación de 2,5 V a 5,5 V, el M95512-R puede funcionar con una tensión de alimentación de 1,8 V a 5,5 V y el M95512-DF puede funcionar con una tensión de alimentación de 1,7 V a 5,5 V, En un rango de temperatura ambiente de -40 °C / +85 °C.

Compatible con el bus de interfaz periférica serie (SPI)

Matriz de memoria

512 KB (64 Kbytes) de EEPROM

Tamaño de página: 128 bytes

escritura.

Escritura de bytes en 5 ms

Escritura de página en 5 ms

Página adicional con bloqueo de escritura (página de identificación)

Protección contra escritura: Matriz de memoria de cuarto, mitad o completa

Reloj de alta velocidad: 16 MHz

Tensión de alimentación simple:

2,5 V a 5,5 V para M95512-W.

1,8 V a 5,5 V para M95512-R.

1,7 V a 5,5 V para M95512-DF

Rango de temperatura de funcionamiento de –40 °C a +85 °C

Protección avanzada contra descargas electroestáticas

Más de 4 millones de ciclos de escritura

Retención de datos superior a 20 años

Encapsulados:

SO8

TSSOP8

UFDFPN8

WLCSP

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