Fotodiodo de silicio Hamamatsu, IR, λ sensibilidad máx. 960nm, mont. pasante, encapsulado TO-18 de 3 pines

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Código RS:
303-366
Nº ref. fabric.:
S5821-02
Fabricante:
Hamamatsu Photonics
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Marca

Hamamatsu Photonics

Espectros Detectados

Infrarrojo

Longitud de Onda de la Sensibilidad de Pico

960nm

Encapsulado

TO-18

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Número de Pines

3

Material del Diodo

Si

Estado RoHS: No aplica

COO (País de Origen):
JP
Los fotodiodos PIN de Si de Hamamatsu Photonics ofrecen un alto rendimiento y fiabilidad, con una respuesta de alta velocidad y una gran sensibilidad en una amplia gama espectral que va desde la luz visible hasta la luz infrarroja cercana. La serie S5821 ofrece un rendimiento y una fiabilidad excepcionales a un bajo coste, lo que la convierte en una solución versátil y rentable para diversas aplicaciones.

Respuesta rápida

Amplia gama de respuesta espectral

Baja corriente oscura

Baja capacitancia terminal

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