Fotodiodo PIN de silicio VEMD8083 Vishay, Radiación de infrarrojos cercanos, Radiación de infrarrojos visible 60 °, λ
- Código RS:
- 637-746
- Nº ref. fabric.:
- VEMD8083
- Fabricante:
- Vishay
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
2.910,00 €
(exc. IVA)
3.510,00 €
(inc.IVA)
Información relativa a las existencias no accesible actualmente - Vuelva a comprobarlo más tarde
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,97 € | 2.910,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 637-746
- Nº ref. fabric.:
- VEMD8083
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | Fotodiodo PIN de silicio | |
| Espectros detectados | Radiación de infrarrojos cercanos, Radiación de infrarrojos visible | |
| Longitud de onda de sensibilidad máxima | 940nm | |
| Encapsulado | Montaje superficial | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Embalaje y empaquetado | Cinta y carrete | |
| Mínima longitud de onda detectada | 350nm | |
| Máxima longitud de onda detectada | 1100nm | |
| Tiempo de caída típico | 30ns | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Longitud | 3.2mm | |
| Certificaciones y estándares | J-STD-020 | |
| Anchura | 2mm | |
| Altura | 0.6mm | |
| Ángulo de media sensibilidad | 60 ° | |
| Estándar de automoción | No | |
| Tiempo de subida típico | 30ns | |
| Tensión de ruptura | 20V | |
| Corriente residual | 10nA | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto Fotodiodo PIN de silicio | ||
Espectros detectados Radiación de infrarrojos cercanos, Radiación de infrarrojos visible | ||
Longitud de onda de sensibilidad máxima 940nm | ||
Encapsulado Montaje superficial | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Embalaje y empaquetado Cinta y carrete | ||
Mínima longitud de onda detectada 350nm | ||
Máxima longitud de onda detectada 1100nm | ||
Tiempo de caída típico 30ns | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Longitud 3.2mm | ||
Certificaciones y estándares J-STD-020 | ||
Anchura 2mm | ||
Altura 0.6mm | ||
Ángulo de media sensibilidad 60 ° | ||
Estándar de automoción No | ||
Tiempo de subida típico 30ns | ||
Tensión de ruptura 20V | ||
Corriente residual 10nA | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El fotodiodo PIN de alta velocidad y alta sensibilidad de Vishay con sensibilidad mejorada para la luz visible. Se trata de un dispositivo de montaje en superficie (SMD) de perfil bajo que incluye el chip con un área sensible de 2,8 mm2 que detecta radiación visible y cercana a infrarrojos.
Sensibilidad mejorada
Apto para radiación visible y de infrarrojos cercanos
Compatible con el proceso de soldadura por reflujo por infrarrojos
Enlaces relacionados
- Fotodiodo PIN de silicio Vishay Radiación de infrarrojos visible 60 °, λ
- Fotodiodo BPV10 Vishay BPV10 Radiación de infrarrojos cercanos 20 °, λ sensibilidad
- Fotodiodo Vishay BPV10 Radiación de infrarrojos cercanos 20 °, λ sensibilidad máx.
- Fotodiodo PIN VEMD6060X01 Vishay VEMD6060X01 Radiación de infrarrojos cercanos ±70 °, λ sensibilidad máx. 820
- Fotodiodo PIN Vishay VEMD6060X01 Radiación de infrarrojos cercanos ±70 ° Montaje
- Fotodiodo PIN de silicio TEFD4300F Vishay TEFD4300F λ sensibilidad máx. 950
- Fotodiodo PIN de silicio VEMD5110X01 Vishay λ sensibilidad máx. 940 nm,
- Fototransistor VEMT3700F-GS08 Vishay VEMT Radiación de infrarrojos visible