Fotodiodo VEMD6010X01 Vishay, Infrarrojo, λ sensibilidad máx. 900 nm, Montaje superficial, encapsulado 1206 de 3 pines
- Código RS:
- 161-2184
- Nº ref. fabric.:
- VEMD6010X01
- Fabricante:
- Vishay
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
- Código RS:
- 161-2184
- Nº ref. fabric.:
- VEMD6010X01
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | Fotodiodo | |
| Espectros detectados | Infrarrojo | |
| Longitud de onda de sensibilidad máxima | 900nm | |
| Encapsulado | 1206 | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 3 | |
| Mínima longitud de onda detectada | 430nm | |
| Tiempo de caída típico | 100ns | |
| Longitud | 4mm | |
| Anchura | 2 mm | |
| Altura | 1.05mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Tiempo de subida típico | 100ns | |
| Tensión de ruptura | 32V | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto Fotodiodo | ||
Espectros detectados Infrarrojo | ||
Longitud de onda de sensibilidad máxima 900nm | ||
Encapsulado 1206 | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 3 | ||
Mínima longitud de onda detectada 430nm | ||
Tiempo de caída típico 100ns | ||
Longitud 4mm | ||
Anchura 2 mm | ||
Altura 1.05mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Tiempo de subida típico 100ns | ||
Tensión de ruptura 32V | ||
- COO (País de Origen):
- MY
VEMD6010X01 es un fotodiodo PIN de alta velocidad y alta sensibilidad. Se trata de un dispositivo de montaje en superficie (SMD) pequeño, incluido el chip con un área sensible de 0,85 mm2 de detección de radiación de infrarrojos visible y cercana.
Tipo de encapsulado: montaje en superficie
Formato de encapsulado: 1206
Dimensiones (Long. x Anch. x Alt. en mm): 4 x 2 x 1,05
Área sensible a radiación (en mm2): 0,85
Fotosensibilidad alta
Alta sensibilidad radiante
Adecuado para radiación por infrarrojos cercana y visible
Tiempos de respuesta rápidos
Ángulo de media intensidad: ϕ = ± 60 °
Vida útil del suelo: 72 h, MSL 4, conforme con J-STD-020
Soldadura de reflujo sin plomo (Pb)
Certificación AEC-Q101
APLICACIONES:
Fotodetector de alta velocidad
Enlaces relacionados
- Fotodiodo de silicio Vishay λ sensibilidad máx. 900nm encapsulado 1206 de 3 pines
- Fotodiodo de silicio ams OSRAM λ sensibilidad máx. 900nm encapsulado DIP de 3 pines
- Fotodiodo de silicio ams OSRAM λ sensibilidad máx. 900nm, mont. pasante de 2 pines
- Fotodiodo de silicio Vishay λ sensibilidad máx. 950nm encapsulado 1206 de 3 pines
- Fotodiodo de silicio ams OSRAM λ sensibilidad máx. 850nm encapsulado SMR de 2 pines
- Fotodiodo PIN de silicio Vishay λ sensibilidad máx. 940 nm encapsulado Montaje
- Fotodiodo PIN de silicio TEMD1020 Vishay λ sensibilidad máx. 940 nm encapsulado Montaje
- Fotodiodo PIN de silicio BPW82 Vishay BPW82 λ sensibilidad máx. 950 nm encapsulado
