Fotodiodo de silicio ams OSRAM, IR, λ sensibilidad máx. 1100nm, mont. superficial, encapsulado Chip LED de 2 pines

Código RS:: 176-4147
Nº ref. fabric.:: SFH 2700
Fabricante:: ams OSRAM

Fotodiodo de silicio ams OSRAM, IR, λ sensibilidad máx. 1100nm, mont. superficial, encapsulado Chip LED de 2 pines

462 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)

0,261 €

(exc. IVA)

0,316 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
3000 +	0,261 €	783,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 176-4147
Nº ref. fabric.:: SFH 2700
Fabricante:: ams OSRAM

Documentación Técnica

Datasheet

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: TW

Datos del Producto

Aplicaciones
Automatización industrial (controles de máquinas, barreras inmateriales, controles de visión)
Características:
Encapsulado: epoxi transparente

Encapsulado SMT muy pequeño
Especialmente adecuado para aplicaciones de 300 nm a 1.100 nm

Especificaciones

Atributo	Valor
Espectros Detectados	Infrarrojo
Longitud de Onda de la Sensibilidad de Pico	1100nm
Encapsulado	Chip LED
Función de amplificador	No
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Número de Pines	2
Material del Diodo	Si
Mínima Longitud de Onda Detectada	300nm
Máxima Longitud de Onda Detectada	1100nm
Tiempo de Bajada Típico	0.12µs
Longitud	2mm
Anchura	1.25mm
Altura	0.8mm
Diámetro	2 x 1.25 x 0.8mm
Tiempo de Subida Típico	0.12µs
Polaridad	Inverso

Fotodiodo de silicio ams OSRAM, IR, λ sensibilidad máx. 1100nm, mont. superficial, encapsulado Chip LED de 2 pines

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