Fotodiodo de silicio OSI Optoelectronics PIN, luz visible, λ sensibilidad máx. 950nm, mont. pasante, encapsulado

Estos detectores de alta velocidad con una gran área activa se pueden consumir por completo para obtener la capacitancia de unión más baja posible y tiempos de respuesta rápidos. Pueden funcionar con una tensión inversa más alta, hasta al valor máximo admisible, a fin de lograr tiempos de respuesta más rápidos en nanosegundos. La alta polarización inversa en este punto aumenta el campo eléctrico eficaz de la unión, lo que mejora el tiempo de captación de carga en la región agotada. Esto se consigue sin que la alta capacidad de respuesta y el área activa se vean afectadas. Estos detectores de radiación de área activa grande pueden agotarse completamente en aplicaciones de medición de rayos X de alta energía, rayos X y partículas de alta energía como electrones, rayos alfa y iones.

Aplicaciones del producto
Aplicaciones láser
Sistemas de control
Detección de electrones
Alta energía en el ámbito físico
Instrumentación médica
Características del producto
Gran área activa
Completamente consumible
Respuesta rápida
Corriente de oscuridad ultrabaja